[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310567414.8
• 申請(qǐng)日: 2013-11-14
• 公開（公告）號(hào): CN104638139A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;馮小明;張娟娟;王平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。然而，目前有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較低。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括導(dǎo)電陽極基底、陰極、層疊設(shè)置于所述導(dǎo)電陽極基底的陽極層及所述陰極之間的至少兩個(gè)有機(jī)電致發(fā)光單元及設(shè)置于相鄰的兩個(gè)有機(jī)電致發(fā)光單元之間的電荷生成層，所述電荷生成層包括自靠近所述陽極層的方向至遠(yuǎn)離所述陽極層的方向依次層疊的低功函數(shù)金屬層、半導(dǎo)體氧化物層及高功函數(shù)金屬層，所述低功函數(shù)金屬層的材料為功函數(shù)為3.0～4.0eV的金屬，所述高功函數(shù)金屬層的材料為功函數(shù)為4.4eV～6.0的金屬，所述半導(dǎo)體氧化物層的材料為功函數(shù)為4.0eV～4.4eV的金屬氧化物。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述低功函數(shù)金屬層的材料為鐿、釤或鋰，所述高功函數(shù)金屬層的材料為銅、鉻或錳，所述半導(dǎo)體氧化物層的材料為三氧化二銻或三氧化二銦。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述低功函數(shù)金屬層的厚度為5nm～10nm，所述高功函數(shù)金屬層的厚度為5nm～10nm，所述半導(dǎo)體氧化物層的厚度為3nm～8nm。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)有機(jī)電致發(fā)光單元包括自靠近所述陽極層的方向至遠(yuǎn)離所述陽極層的方向依次層疊的空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料為磷光材料與發(fā)光主體的混合物或熒光材料，所述熒光材料為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、5,6,11,12-四苯基萘并萘、2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯、4,4'-雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯或4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯，所述磷光材料選自雙（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合銥、雙（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥、雙(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合銥、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合銥、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、二（1-苯基異喹啉）（乙酰丙酮）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥及三（2-苯基吡啶）合銥中的至少一種，所述發(fā)光主體為4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺)。

一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

采用蒸鍍技術(shù)，在導(dǎo)電陽極基底的陽極層表面制備至少兩個(gè)有機(jī)電致發(fā)光單元及設(shè)置于相鄰的兩個(gè)有機(jī)電致發(fā)光單元之間的電荷生成層，所述電荷生成層包括自靠近所述陽極層的方向至遠(yuǎn)離所述陽極層的方向依次層疊的低功函數(shù)金屬層、半導(dǎo)體氧化物層及高功函數(shù)金屬層，所述低功函數(shù)金屬層的材料為功函數(shù)為3.0～4.0eV的金屬，所述高功函數(shù)金屬層的材料為功函數(shù)為4.4eV～6.0的金屬，所述半導(dǎo)體氧化物層的材料為功函數(shù)為4.0eV～4.4eV的金屬氧化物；及

在遠(yuǎn)離所述陽極層表面的有機(jī)電致發(fā)光單元表面制備陰極。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述低功函數(shù)金屬層的材料為鐿、釤或鋰，所述高功函數(shù)金屬層的材料為銅、鉻或錳，所述半導(dǎo)體氧化物層的材料為三氧化二銻或三氧化二銦。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述低功函數(shù)金屬層的厚度為5nm～10nm，所述高功函數(shù)金屬層的厚度為5nm～10nm，所述半導(dǎo)體氧化物層的厚度為3nm～8nm。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)有機(jī)電致發(fā)光單元包括自靠近所述陽極層的方向至遠(yuǎn)離所述陽極層的方向依次層疊的空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層。