[發(fā)明專利]一種制備金剛石薄膜的簡單裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310567348.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103643218A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秦文鋒;李學(xué)軍;楊文志 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/27 | 分類號(hào): | C23C16/27;C23C16/50 |
| 代理公司: | 中山市銘洋專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 吳劍鋒 |
| 地址: | 528400 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制備 金剛石 薄膜 簡單 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種制備金剛石薄膜的簡單裝置。?
背景技術(shù)
金剛石薄膜具有很高的硬度、較好的熱導(dǎo)性,耐磨損性,極佳的化學(xué)惰性,和從遠(yuǎn)紅外區(qū)到深紫外區(qū)完全透明等優(yōu)點(diǎn)。金剛石薄膜在焊接刀具、大功率激光器、半導(dǎo)體以及X射線窗口等領(lǐng)域有著廣泛的前景。?
現(xiàn)有用于制備金剛石薄膜的裝置,其結(jié)構(gòu)一般比較復(fù)雜,生產(chǎn)成本高。故此,現(xiàn)有用于制備金剛石薄膜的裝置有待于進(jìn)一步完善。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處,提供一種結(jié)構(gòu)簡單,制作方便,生產(chǎn)成本低,用于制備金剛石薄膜的簡單裝置。?
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用以下方案:?
一種制備金剛石薄膜的簡單裝置,包括有反應(yīng)室,其特征在于:在所述的反應(yīng)室下方設(shè)有氣體入口,在所述反應(yīng)室內(nèi)與所述氣體入口對(duì)應(yīng)的位置上設(shè)有陰極,在所述的陰極上設(shè)有多個(gè)透氣孔,在所述陰極上方設(shè)有水冷陽極,基片設(shè)置在水冷陽極上,所述的水冷陽極與陰極通過導(dǎo)線相連接。?
如上所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置,其特征在于在所述?的陰極上內(nèi)設(shè)有水冷容腔,在所述的陰極設(shè)有與所述水冷容器相連接的進(jìn)水口。?
如上所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置,其特征在于所述水冷陽極與陰極通過導(dǎo)線連接有電源。?
如上所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置,其特征在于所述水冷陽極包括有陽極本體,在所述的陽極本體上設(shè)有水冷進(jìn)口。?
如上所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置,其特征在于所述水冷陽極與陰極之間的距離為2cm。?
綜上所述,本發(fā)明的有益效果:?
本發(fā)明工藝方法簡單,制作方便,生產(chǎn)成本相對(duì)較低。?
附圖說明
圖1為本發(fā)明的示意圖。?
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖說明和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述:?
如圖1所示,本發(fā)明一種制備金剛石薄膜的簡單裝置,包括有反應(yīng)室1,在所述的反應(yīng)室1下方設(shè)有氣體入口2,在所述反應(yīng)室1內(nèi)與所述氣體入口2對(duì)應(yīng)的位置上設(shè)有陰極3,在所述的陰極3上設(shè)有多個(gè)透氣孔4,在所述陰極3上方設(shè)有水冷陽極5,基片6設(shè)置在水冷陽極5上。?
本發(fā)明中所述水冷陽極5與陰極3通過導(dǎo)線7連接有電源8。?
本發(fā)明中在所述的陰極3上內(nèi)設(shè)有水冷容腔,在所述的陰極3設(shè)有與所述水冷容器相連接的進(jìn)水口9。?
本發(fā)明中所述水冷陽極5包括有陽極本體51,在所述的陽極本體51上設(shè)有水冷進(jìn)口52。所述水冷陽極5與陰極之間的距離為2cm。?
本發(fā)明裝置使用過程中壓力約28KPa的反應(yīng)氣體CH4+H2通過陰極3中的進(jìn)入反應(yīng)室1,水冷陽極5位于陰極3上方,基片6安裝在水冷陽極上,水冷陽極與陰極的距離為2cm,CH4/H2比率由0.3%變到4%,但流量固定在20sccm,所使用的典型放電條件為1KV和0.4nm/cm2,基片6溫度上升到800℃,其溫度可通過改變通入陽極的冷卻水的流量來改變。?
采用本發(fā)明裝置制備的金剛石薄膜,其面間距、點(diǎn)陣常數(shù)、維氏硬度與自然金剛石對(duì)應(yīng)值相符。?
以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制,上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下,本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司,未經(jīng)中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310567348.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





