[發(fā)明專(zhuān)利]淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310567204.9
• 申請(qǐng)日: 2013-11-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104637881A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐偉中
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8238
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8238
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有若干隔離溝槽；

在所述溝槽內(nèi)形成氧化層，所述氧化層包括在所述溝槽內(nèi)壁氧化生長(zhǎng)的第一氧化層以及在所述第一氧化層上沉積的第二氧化層；

對(duì)所述氧化層執(zhí)行氮化工藝，使部分氧化層轉(zhuǎn)化為氮氧化層；以及

在所述溝槽內(nèi)填充介質(zhì)層，形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述氧化工藝是原位蒸汽產(chǎn)生氧化工藝、濕氧化工藝或快速熱氧化工藝。

3.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述沉積工藝是低壓化學(xué)氣相沉積。

4.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚度是5～100埃，所述第二氧化層的厚度是10～100埃。

5.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述氮化工藝是去耦等離子氮化物工藝。

6.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對(duì)所述氧化層執(zhí)行氮化工藝之后，在所述溝槽內(nèi)填充介質(zhì)層之前，執(zhí)行退火工藝。

7.如權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成若干隔離溝槽的方法包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成刻蝕停止層和硬掩膜層；

刻蝕所述硬掩膜層和刻蝕停止層，形成貫穿所述硬掩膜層和刻蝕停止層厚度的開(kāi)口，所述開(kāi)口的形狀與隔離溝槽的形狀對(duì)應(yīng)；以及

以所述硬掩膜層和刻蝕停止層為掩模，沿開(kāi)口刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，形成若干隔離溝槽。

8.如權(quán)利要求7所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述刻蝕停止層為氧化硅。

9.如權(quán)利要求7所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜層為氮化硅。

10.如權(quán)利要求7所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述溝槽內(nèi)填充介質(zhì)層之后，利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝平坦化所述介質(zhì)層。