[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法在審
| 申請號: | 201310567124.3 | 申請日: | 2013-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN104637978A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;馮小明;張娟娟;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232 | 代理人: | 劉抗美;劉耿 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發光器件,包括基板、依次層疊設于所述基板的一個表面上的陽極層、第一有機電致發光單元、電荷生成層、第二有機電致發光單元及陰極層;其特征在于,
所述第一有機電致發光單元包括依次層疊設于陽極層表面上的第一空穴傳輸層、第一發光層及第一電子傳輸層;
所述電荷生成層包括依次層疊設于所述第一電子傳輸層表面上的第一半導體氧化物層及第二半導體氧化物層;
所述第二有機電致發光單元包括依次層疊設于所述第二金屬層表面上的第二空穴傳輸層、第二發光層及第二電子傳輸層。
2.根據權利要求1的有機電致發光器件,其特征在于,所述第一半導體氧化物層的材質為Li2O或Cs2O中的任意一種,厚度為3~10nm;所述第二半導體氧化物層的材質為WO3、MoO3、V2O5或ReO3中的任意一種,厚度為3~10nm。
3.根據權利要求1的有機電致發光器件,其特征在于,所述第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層的材質相同或不同地選自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-對二氨基聯苯;所述第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層的厚度均為20~80nm。
4.根據權利要求1的有機電致發光器件,其特征在于,所述第一電子傳輸層和第二電子傳輸層的材質相同或不同地選自4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲;所述第一電子傳輸層和第二電子傳輸層的厚度均為20~60nm。
5.根據權利要求1的有機電致發光器件,其特征在于,所述第一發光層和第二發光層的材質為發光材料、或者由主體材料摻雜相同或不同的所述發光材料組成的摻雜混合材料;在所述摻雜混合材料中,所述發光材料占所述主體材料的重量百分比為5wt%~30wt%;所述發光材料為熒光材料或磷光材料;其中:
所述熒光材料選自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、5,6,11,12-四苯基萘并萘、2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-聯苯、4,4'-雙[4-(二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯苯或4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯中的任意一種或幾種;
所述磷光材料選自雙(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合銥、雙(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、雙(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合銥、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合銥、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥、三(1-苯基-異喹啉)合銥及三(2-苯基吡啶)合銥中的任意一種或幾種;
所述主體材料選自4,4'-二(9-咔唑)聯苯、8-羥基喹啉鋁、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺中的任意一種;
所述第一發光層和第二發光層的厚度均為5~30nm。
6.據權利要求1的有機電致發光器件,其特征在于,所述陰極層的材質選自金屬Ag、Al、Mg-Al合金或Mg-Ag合金中的任意一種;所述陰極層的厚度為70~200nm。
7.根據權利要求1的有機電致發光器件,其特征在于,所述陽極層的材質為方塊電阻為5~100Ω/□的氧化銦錫或銦摻雜氧化鋅。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





