[發(fā)明專利]一種寬禁帶功率器件場板的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310567092.7
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN103606515A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉新宇;許恒宇;湯益丹;蔣浩杰;趙玉印;申華軍;白云;楊謙
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種寬禁帶功率器件場板的制造方法，其特征在于，包括：

步驟1：在功率半導(dǎo)體外延片襯底表面制作介質(zhì)鈍化層；

步驟2：采用光刻技術(shù)在該介質(zhì)鈍化層表面形成刻蝕窗口；

步驟3：采用刻蝕或腐蝕技術(shù)對該介質(zhì)鈍化層開孔，形成具有特定角度的斜面；

步驟4：在該具有特定角度的斜面上制作場板金屬。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬禁帶功率器件場板的制造方法，其特征在于，所述步驟1之前還包括：

采用標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗功率半導(dǎo)體外延片襯底，并用氮氣吹干。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬禁帶功率器件場板的制造方法，其特征在于，步驟1中所述介質(zhì)鈍化層是絕緣介質(zhì)SiO₂或Si₃N₄中的一種或者其混合物，厚度為20nm-60nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬禁帶功率器件場板的制造方法，其特征在于，步驟1中所述在功率半導(dǎo)體外延片襯底表面制作介質(zhì)鈍化層，是采用PECVD的方法270℃生長200nm的SiO₂介質(zhì)鈍化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬禁帶功率器件場板的制造方法，其特征在于，步驟2中所述采用光刻技術(shù)在該介質(zhì)鈍化層表面形成刻蝕窗口包括：

勻9912光刻膠1.3μm，在介質(zhì)鈍化層表面光刻顯影出介質(zhì)開孔窗口，打底膜2分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬禁帶功率器件場板的制造方法，其特征在于，步驟3中所述采用刻蝕或腐蝕技術(shù)對該介質(zhì)鈍化層開孔，是采用分步的干法技術(shù)或單步濕法腐蝕技術(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的寬禁帶功率器件場板的制造方法，其特征在于，所述介質(zhì)鈍化層采用的材料是絕緣介質(zhì)SiO₂，所述單步濕法腐蝕技術(shù)采用的腐蝕液為氫氟酸與氟化銨的混合液，所采用的混合液的配比為1／10與1／20之間的比例值。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的寬禁帶功率器件場板的制造方法，其特征在于，所述濕法腐蝕技術(shù)的腐蝕速率介于400A／min到600A／min之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬禁帶功率器件場板的制造方法，其特征在于，步驟3中所述具有特定角度的斜面，此斜面與垂直方向的夾角為30度-60度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬禁帶功率器件場板的制造方法，其特征在于，步驟4中所述在該具有特定角度的斜面上制作場板金屬，是在已形成斜面的介質(zhì)鈍化層上淀積Ti場板金屬，采用腐蝕金屬的方法形成場板金屬。