[發明專利]硅片的臨時鍵合工藝方法

在審

• 申請號: 201310566916.9
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN104637853A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 郭曉波;許剛
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種硅片的臨時鍵合工藝方法，其特征在于，該方法包括步驟如下：?

(1)提供一需鍵合的硅片，一第一載片和一第二載片；?

(2)在硅片的第一表面，和/或在第一載片的第一表面涂布第一粘合劑，并對其烘烤；?

(3)在第二載片的第一表面涂布第二粘合劑，并對其烘烤；?

(4)將硅片、第一載片和第二載片按照一定的疊放順序進行臨時鍵合，硅片位于第一載片和第二載片的中間，形成“三明治”結構；?

(5)將第二載片從硅片的第二表面上解離，清洗去除第二粘合劑。?

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述第一載片和第二載片的材料為玻璃，且所述第一載片和第二載片的熱膨脹系數都大于硅片的熱膨脹系數。?

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，如果后續步驟(5)的解離使用化學溶劑溶解法，在所述第二載片上預先形成多孔結構，該多孔結構貫穿第二載片且均勻分布于第二載片上。?

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述第一粘合劑是激光照射分解型粘合劑、溶劑溶解型粘合劑或加熱分解型粘合劑。?

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述第一粘合劑在烘烤后要能夠完全覆蓋硅片的第一表面上的圖形臺階高度。?

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述第二粘合劑是激光照射分解型粘合劑或溶劑溶解型粘合劑。?

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述的疊放順序是指：硅片位于第一載片和第二載片的中間，其中硅片的第一表面和第一載片的第一表面相鄰，硅片的第二表面和第二載片的第一表面相鄰。?

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述臨時鍵合過程在一真空度為0.001-0.1毫帕、溫度為150-350℃的密閉腔體中完成，并在第一載片和/或第二載片的非鍵合面一側施加100-5000牛頓的壓力，鍵合時間為1-20分鐘。?

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(5)中，所述解離采用激光照射解離法或化學溶劑解離法。?

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(5)中，所述清洗方法采用化學溶劑槽式清洗法、化學溶劑噴淋清洗法、氧氣等離子體灰化或膠帶粘貼法。?

11.一種硅片的臨時鍵合工藝方法，其特征在于，該方法包括步驟如下：?

(1)提供一需鍵合的硅片，一第三載片和一第四載片；?

(2)在硅片的第一表面涂布第三粘合劑，并對其烘烤；?

(3)在第三載片的第二表面涂布第四粘合劑，并對其烘烤；?

(4)將硅片、第三載片和第四載片按照一定的疊放順序進行臨時鍵合，第三載片位于硅片和第四載片的中間，形成“三明治”結構；?

(5)將第四載片從第三載片的第二表面上解離，清洗去除第四粘合劑。?

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述第三載片材料為玻璃，第四載片的材料為硅，且所述硅片和第四載片的熱膨脹系數都大于第三載片的熱膨脹系數。?

13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，在所述第四載片上預先形成多孔結構，該多孔結構貫穿第四載片且均勻分布于第四載片上。?

14.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述第三粘合劑是激光照射分解型粘合劑、溶劑溶解型粘合劑或加熱分解型粘合劑。?

15.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述第三粘合劑在烘烤后要能夠完全覆蓋硅片的第一表面上的圖形臺階高度。?

16.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述第四粘合劑是溶劑溶解型粘合劑。?

17.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述的疊放順序是指：第三載片位于硅片和第四載片的中間，其中第三載片的第一表面和硅片的第一表面相鄰，第三載片的第二表面和第四載片的第一表面相鄰。?