[發明專利]一種X射線傳感器的陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201310566270.4
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN103560135A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 楊東
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 張愷寧

1.一種X射線傳感器的陣列基板的制造方法，其特征在于，該方法包括形成薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器器件的步驟，形成薄膜晶體管器件的步驟包括：

在襯底基板上通過掩膜工藝形成柵極圖形；

在形成柵極圖形的基板上沉積柵極絕緣層；

形成光電二極管傳感器器件的步驟包括：

在形成柵極圖形的同時通過同一次掩膜工藝形成歐姆層圖形；

在形成歐姆層圖形的基板上通過掩膜工藝形成半導體層和透明電極圖形；

沉積的柵極絕緣層同時覆蓋在形成半導體層和透明電極圖形的基板上。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該方法中形成薄膜晶體管器件的步驟還包括：

在形成柵極絕緣層的基板上通過掩膜工藝形成有源層圖形；

在形成有源層圖形的基板上沉積第一鈍化層，并通過掩膜工藝在第一鈍化層上形成第一過孔；

在形成第一過孔的基板上通過掩膜工藝形成數據線和源極線圖形，使所述數據線和源極線圖形通過第一過孔與有源層連接。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，該方法中形成光電二極管傳感器器件的步驟還包括：

在形成第一鈍化層的第一過孔的同時，通過同一次掩膜工藝在形成半導體層和透明電極圖形的基板的柵極絕緣層上形成第二過孔和第三過孔；

在形成數據線和源極線圖形的同時通過同一次掩膜工藝在形成第二過孔和第三過孔的基板上形成偏壓線圖形，所述偏壓線通過所述第二過孔與半導體層和透明電極連接，通過所述第三過孔與歐姆層連接。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，該方法還包括：

在形成偏壓線圖形，數據線和源極線圖形的整個基板上沉積第二鈍化層，通過掩膜工藝形成第二鈍化層對應的過孔。

5.一種采用權利要求1-4所述方法制作的X射線傳感器的陣列基板，其特征在于，包括薄膜晶體管器件和與薄膜晶體管器件相連的光電二極管傳感器器件，所述薄膜晶體管器件包括：

襯底基板上的柵極；

柵極之上的柵極絕緣層；

所述光電二極管傳感器器件包括：

襯底基板上的歐姆層；

歐姆層上的半導體層和透明電極；

半導體層和透明電極上的柵極絕緣層。

6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管器件還包括：

柵極絕緣層上的有源層；

有源層上的第一鈍化層，所述第一鈍化層上開設有第一過孔；

第一鈍化層上的數據線和源極線，所述數據線和源極線通過第一過孔與有源層連接。

7.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述光電二極管傳感器器件還包括：

柵極絕緣層上開設有第二過孔和第三過孔；

柵極絕緣層上的偏壓線，所述偏壓線通過所述第二過孔與半導體層和透明電極連接，通過所述第三過孔與歐姆層連接。

8.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

整個基板上的第二鈍化層，以及位于第二鈍化層上的過孔。

9.一種X射線傳感器的傳感器，其特征在于，該傳感器含有權利要求5～8任一所述的X射線傳感器的傳感器的陣列基板。