[發明專利]高分子介電材料改性劑及高分子介電材料的處理方法

有效

• 申請號: 201310566173.5
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN103617828B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發明（設計）人: 邱文裕;劉毅;趙繼云
• 申請（專利權）人: 湖南省化訊應用材料有限公司
• 主分類號: H01B3/18
• 分類號: H01B3/18;C08J7/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 趙青朵

技術領域

本發明屬于線路制作技術領域，尤其涉及高分子介電材料改性劑及高分子介電材料的處理方法。

背景技術

因應電子產品的輕薄短小需求，線路板與封裝載板甚至于體積電路都必須朝向高密度發展，在線路的制作工藝中，除了縮小導通孔的孔徑外，微盲孔的導入與細線路的制作也都必須整合在這些先進制程里，即高密度互連技術的線路設計，在制作工藝中，主要面臨兩個問題：細線路的制作與層間互連的信賴性。

對于細線路制作工藝而言，目前比較成熟的做法是采用加成法的增層技術，其中又以半加成法為比較成熟的工藝，但隨著介電材料的物化性質與電器性質的提升，化學銅層與介電層之間的密著力與熱可靠性問題也漸漸凸顯。當線路的尺寸縮小以及線路的傳輸頻率增加時，先進的介電材料表面就必須具備小的粗糙度，以避免訊號的散失以及減少電阻電容延遲效應（RC?delay）與損失，因此在提高介電材料電器特性的同時，又必須持續強化介電材料與化學銅層之間的密著力，將是未來技術提升的關鍵點。

國際半導體技術藍圖（ITRS）2008年組裝與封裝藍圖更新版，針對未來不同形態的半導體封裝載板的性能屬性與需求，提供了明確的技術指標，其指出，對于Flip?Chip-BGA封裝載板的應用，線路尺寸將在2014年達到8/8μm的線寬線距要求，并于2017年進一步縮小至6/6μm；而對于電器特性與2013年開始因應高速高頻（達到7.34GHz）應用，必須將增層法介電材料的介電常數降低至3以下，損失正切也必須降到0.009以下，其他機械性質針對材料的熱膨脹系數與材料吸濕率也需持續降低。同時，歐盟的RoHS與WEEE指令對于無鉛焊接的強烈要求與禁用無鹵素耐燃劑等環保法規、高密度配線必須使用較低熱膨脹系數以及較佳熱穩定性的基材等設計走向、高速寬頻無線射頻的應用也迫使介電材料必須有更好的機械性能。

雖然添加非鹵素耐燃劑（反應性有機磷系DOPO）與高含量的無機填料（高達20%的SiO₂或Al(OH)₂）可提高高分子介電材料的玻璃轉化溫度（Tg）、熱分解溫度（Td）、楊氏模數與抗張強度，也調降X/Y與Z方向的熱膨脹系數、延伸率及吸水率，但與此同時，介電材料對于化學的抵抗能力也增強許多，提高了后處理的除膠渣或粗化處理的難度。

目前，除膠渣主要采用濕式化學處理方法，即包括溶劑膨松、堿性高錳酸鉀氧化咬蝕與中和四步。對于極性較高的介電材料，此方法可有效增加材料表面的粗糙度，但對于極性較低甚至于在高分子主鏈上沒有極性基、只有在支鏈或交聯鍵上存在極性基的介電材料，多次的除膠渣處理也無法產生需要的粗糙度，并且如果介電材料有較深且粗糙的表面坑洞時，也會給后期閃蝕與除鈀制程帶來沉重的壓力。

發明內容

有鑒于此，本發明要解決的技術問題在于提供一種高分子介電材料改性劑及高分子介電材料的處理方法，該改性劑可在不增加介電材料表面粗糙度的情形下增強化學銅與介電材料的密著力。

本發明提供了一種高分子介電材料改性劑，包括：有機胺、陽離子高分子表面活性劑與水。

優選的，還包括濕潤劑。

優選的，所述濕潤劑為非離子表面活性劑。

優選的，所述濕潤劑的濃度為1～1000ppm。

優選的，所述有機胺選自單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二乙烯三胺與四乙烯五胺中的一種或多種。

優選的，所述有機胺的含量為（5～50）g/L。

優選的，所述陽離子高分子表面活性劑為吉米奇表面活性劑。

優選的，所述陽離子高分子表面活性劑為式（I）結構的四級銨鹽類陽離子表面活性劑：

其中，R₁、R₂與R₃各自獨立地選自H或C1～C12的烷基；n為1～20的整數。

優選的，所述陽離子高分子表面活性劑的含量為（0.1～10）g/L。

本發明還提供了一種高分子介電材料的處理方法，包括：

將高分子介電材料浸泡于高分子介電材料改性劑中，所述高分子介電材料改性劑包括有機胺、陽離子高分子表面活性劑與水。