[發明專利]一種圖案化金屬電極及其制備方法

有效

• 申請號: 201310565869.6
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN103606634A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 劉云圻;王翰林;張磊;胡文平;于貴
• 申請（專利權）人: 中國科學院化學研究所
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢;王春霞

1.一種圖案化金屬電極的制備方法，包括如下步驟：

（1）在襯底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯得到聚甲基丙烯酸甲酯抗蝕層；

（2）通過噴墨打印腐蝕性溶劑，按照版圖設計，在所述聚甲基丙烯酸甲酯抗蝕層的表面腐蝕出圖案化的結構，即得到圖案化的抗蝕層；

（3）在所述圖案化的抗蝕層的表面沉積金屬得到導電層；然后將所述襯底與所述圖案化的抗蝕層進行剝離，即得到圖案化的金屬電極。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述襯底的材質為硅片、玻璃或聚苯乙烯。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述腐蝕性溶劑為甲苯、乙酸正丁酯和鄰二甲苯中至少一種。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述襯底的材質為硅片或玻璃，在沉積所述金屬之前，先向所述圖案化的抗蝕層的表面沉積鈦粘附層；

所述鈦粘附層的厚度為3～5nm。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述金屬為金和/或銀；

所述導電層的厚度為30nm～50nm。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的制備方法，其特征在于：在丙酮和/或甲苯中實現所述襯底與所述圖案化的抗蝕層的剝離。

7.權利要求1-6中任一項所述方法制備的圖案化金屬電極。

8.根據權利要求7所述的圖案化金屬電極，其特征在于：所述圖案化金屬電極的溝道長度為700nm～1000nm。

9.權利要求7或8所述圖案化金屬電極在有機電子學和集成電路中的應用。

10.權利要求7或8所述圖案化金屬電極在制備聚合物晶體管器件中的應用。