[發明專利]一種改善超低介電常數多孔SiCOH薄膜抗吸濕性能的方法

在審

• 申請號: 201310565850.1
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN103646913A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 丁士進;蔣濤;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;賈慧琴

1.一種改善超低介電常數多孔SiCOH薄膜抗吸濕性能的方法，其特征在于，該方法是將k值為1.6-2.0的超低介電常數多孔SiCOH薄膜，在環境溫度下，置于紫外光下進行照射，以提高薄膜的抗吸濕性能，其中，紫外光波長范圍為200-400nm，環境溫度為50-100℃，照射時間為2-10小時。

2.如權利要求1所述的改善超低介電常數多孔SiCOH薄膜抗吸濕性能的方法，其特征在于，所述的照射時間為3-6小時。

3.如權利要求1所述的改善超低介電常數多孔SiCOH薄膜抗吸濕性能的方法，其特征在于，所述的超低介電常數多孔SiCOH薄膜具有Al-SiCOH-Si-Al的結構，該結構是在硅襯底的上表面設置有SiCOH薄膜層，在硅襯底的下表面以及薄膜層上表面分別淀積Al電極。

4.如權利要求3所述的改善超低介電常數多孔SiCOH薄膜抗吸濕性能的方法，其特征在于，所述的超低介電常數多孔SiCOH薄膜的制備方法包含：

??????步驟1，以1，2-二（三乙氧基硅基）乙烷為前驅體，以嵌段共聚物P123為成孔劑，以稀鹽酸為催化劑，并加入乙醇作為溶劑，置于40-80℃的油浴中連續攪拌1-5小時，得到透明成膜液；上述各組分的摩爾比為：1，2-二（三乙氧基硅基）乙烷:?P_123?:?H₂O?:?HCl?:?EtOH?=?(3-10)?:?(0.02-0.15)?:?(100-300)?:?(0.09-0.5)?:?(70-250)；?

??????步驟2，將上述成膜液滴到洗凈的硅片上，旋涂成膜；

??步驟3，將上述所得薄膜先置于烘箱中在40-100℃條件下陳化20-100h,然后置于退火爐中,通入氮氣,由室溫緩慢升至350℃-600℃,并保持1h,最后緩慢降至室溫；

步驟4，采用電子束蒸發的方法，在步驟3所得的薄膜上表面及襯底下表面分別淀積一層500nm-1500nm厚度的Al電極，形成Al-SiCOH-Si-Al結構。

5.如權利要求4所述的改善超低介電常數多孔SiCOH薄膜抗吸濕性能的方法，其特征在于，所述的旋涂成膜過程分為三個階段：第一階段，以500-800?rpm的轉速旋轉5-15s；第二階段，以1500-3000?rpm的轉速旋轉20-45s；第三階段，以800-1500?rpm的轉速旋轉5-15s。