[發明專利]一種摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法

有效

• 申請號: 201310565663.3
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN103590110A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 夏士興;莫小剛;龐才印;李興旺;張月娟;朱建慧
• 申請（專利權）人: 北京雷生強式科技有限責任公司;中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: C30B31/08
• 分類號: C30B31/08
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 劉映東

1.一種摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法，其特征在于，所述摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法為：在惰性氣氛條件下，將含有亞鐵離子的摻雜物放置在反應器高溫區，將硒化鋅晶體放置在反應器低溫區，通過熱擴散使所述亞鐵離子進入所述硒化鋅中，制備得到第一摻鐵硒化鋅激光晶體。

2.根據權利要求1所述的摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法，其特征在于，所述摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法還包括：切割所述第一摻鐵硒化鋅激光晶體，并使所述切割的第一摻鐵硒化鋅激光晶體的兩個摻鐵面之間進行熱鍵合，將含有亞鐵離子的摻雜物粉體放置在反應器高溫區，將所述熱鍵合后的第一摻鐵硒化鋅激光晶體放置在反應器低溫區，通過二次熱擴散使所述亞鐵離子進入所述熱鍵合后的第一摻鐵硒化鋅激光晶體中，制備得到第二摻鐵硒化鋅激光晶體。

3.根據權利要求2所述的摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法，其特征在于，對所述切割的第一摻鐵硒化鋅激光晶體的兩個摻鐵面之間進行熱鍵合的條件為：在壓力小于等于10Pa的真空環境中，于500～800℃溫度下恒溫進行至少24個小時。

4.根據權利要求1或2所述的摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法，其特征在于，所述含有亞鐵離子的摻雜物選自硒化亞鐵、硫化亞鐵的至少一種。

5.根據權利要求1或2所述的摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法，其特征在于，所述反應器為密封的石英管。

6.根據權利要求1或2所述的摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法，其特征在于，所述惰性氣氛的壓力范圍為0.05atm～0.95atm。

7.根據權利要求1或2所述的摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法，其特征在于，所述高溫區的溫度控制在1100～1300℃。

8.根據權利要求1或2所述的摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法，其特征在于，所述低溫區的溫度控制在900～1100℃。

9.根據權利要求1或2所述的摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法，其特征在于，所述熱擴散的時間為7～60天。

10.根據權利要求1或2所述的摻鐵硒化鋅激光晶體的制備方法，其特征在于，所述熱擴散的溫度梯度控制在10～30℃/cm。