[發(fā)明專利]石墨加熱器及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310564225.5 | 申請日： | 2013-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN103556222A | 公開（公告）日： | 2014-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 潘家明;何廣川;陳艷濤 | 申請（專利權(quán)）人： | 英利集團有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/14;C30B28/06 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明;張永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 石墨 加熱器 及其 制備 方法 | ||
1.一種石墨加熱器，其特征在于，包括：
石墨加熱器主體；
隔離層，包覆在所述石墨加熱器主體的表面上，所述隔離層材料的高溫穩(wěn)定性優(yōu)于石墨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨加熱器，其特征在于，所述隔離層的材料為溫度高于硅的沸點時不與含硅氣體和/或含碳氣體反應(yīng)的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨加熱器，其特征在于，所述隔離層的材料為α-碳化硅。
4.一種石墨加熱器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供石墨加熱器主體；
在所述石墨加熱器主體的表面上形成高溫穩(wěn)定性優(yōu)于石墨的隔離層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述隔離層為α-碳化硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，在所述石墨加熱器主體的表面上形成所述隔離層的步驟包括：
將所述石墨加熱器主體置于真空反應(yīng)器中，并將位于所述真空反應(yīng)器中的所述石墨加熱器主體的溫度升至≥2100℃；
向所述真空反應(yīng)器中通入含硅氣體，使所述含硅氣體與所述石墨加熱器主體表面上的石墨反應(yīng)形成所述隔離層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，通入所述含硅氣體前，所述真空反應(yīng)器的氣壓為0.1×10－3個標準大氣壓；通入所述含硅氣體后，所述真空反應(yīng)器的氣壓為0.2～5個標準大氣壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述石墨加熱器主體的溫度升至2150±50℃，升溫速率為100～500℃/h；所述含硅氣體與所述石墨加熱器主體的反應(yīng)時間為0.2～10h。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述升溫速率為250～350℃/h；所述反應(yīng)時間為2～4h。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述含硅氣體為硅蒸氣或一氧化硅氣體。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英利集團有限公司，未經(jīng)英利集團有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310564225.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
