[發明專利]一種確定和調節飽和溫度的方法

無效

• 申請號: 201310563970.8
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN103589457A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 王萬利
• 申請（專利權）人: 王萬利
• 主分類號: C10J3/00
• 分類號: C10J3/00;C10J3/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及煤氣的生產方法。

背景技術

目前，確定飽和溫度，依據煤粒度大小，水分含量，灰份含量，灰溶點，長時間運行確定，沒有直觀、統一的標準。一次調節飽和溫度沒有上限，或不正確，調節時間不確定，氣化效率波動大，易結渣，燒壞爐篦。

發明內容

為了解決上述問題，本發明提供一種依據氧化層循環位置，確定和調節飽和溫度的方法。

為了實現上述目的，本發明提供了一種確定和調節飽和溫度的方法，飽和溫度50-65℃，蒸汽壓力正確，其特征在于，包括下述步驟：

氧化層循環位置高，降低飽和溫度，氧化層循環位置下降，一次小于或等于氧化層長度，預熱后氣化劑溫度降低，氣化劑中蒸汽含量降低，上下氧化層位置連接，提高氣化效率；

氧化層循環位置低，提高飽和溫度，氧化層循環位置上升，一次小于或等于氧化層長度，氣化劑中蒸汽含量增加，上下氧化層位置連接，1h內，氧化層循環位置底線，常高于溫度顯示的氧化層底線，升到正確的氧化層循環位置，2h內，預熱后氣化劑溫度高，降低氣化效率，時間延長，氧化層循環位置底線，低于溫度顯示的氧化層底線或重合，預熱后氣化劑溫度降低、穩定，提高氣化效率，爐篦壽命延長，減少結渣。

氧化層循環位置每下降10mm，氣化劑中蒸汽含量減少3.0-5.5g/m³，煤氣壓力大，蒸汽減量大。

氧化層循環位置每上升10mm，氣化劑中蒸汽含量增加3.0-5.5g／m³，煤氣壓力大，蒸汽增量大。

一次增加空氣、氧氣流量，爐內煤氣壓力增大，小于或等于60-100Pa，一次氧化層循環位置下降，小于或等于氧化層長度，上下氧化層位置連接，氣化效率高。

一次減少空氣、氧氣流量，爐內煤氣壓力減少，小于或等于60-100Pa，一次氧化層循環位置上升，小于或等于氧化層長度，上下氧化層位置連接，氣化效率穩定。

氧化層循環的第二個環節，氧化層開始下降30s內，或30-60s，增加空氣、氧氣流量，或降低飽和溫度，降低氧化層循環位置，作用，降低氧化層循環位置，與氧化層循環同步下降，減少或消除氧化層循環位置下降，對氧化層循環的不利影響，氣化效率高、穩定。

氧化層循環的第三個環節，氧化層開始上升30s內，或30-60s，減少空氣、氧氣流量，或提高飽和溫度，升高氧化層循環位置，作用，升高氧化層循環位置，與氧化層循環同步上升，減少氧化層循環位置上升，對氧化層循環的的不利影響，氣化效率穩定。

減少氣化劑蒸汽流量，降低飽和溫度，增加外排蒸汽流量，蒸氣壓力不變或減少，氧化層溫度高，氣化效率高。

增加氣化劑蒸汽流量，提高飽和溫度，減少外排蒸汽流量，蒸氣壓力不變或增加，氧化層溫度高，氣化效率穩定。

本發明的優點在于：確定和調節飽和溫度直觀，氣化效率高，波動少，降低勞動強度，爐篦壽命長。

具體實施方式

本發明所述的確定和調節飽和溫度的方法，飽和溫度50-65℃，蒸汽壓力正確，包括下述步驟：

氧化層循環位置高，降低飽和溫度，氧化層循環位置下降，一次小于或等于氧化層長度，預熱后氣化劑溫度降低，氣化劑中蒸汽含量降低，上下氧化層位置連接，提高氣化效率；

氧化層循環位置低，提高飽和溫度，氧化層循環位置上升，一次小于或等于氧化層長度，氣化劑中蒸汽含量升高，上下氧化層位置連接，提高飽和溫度，1h內，氧化層循環位置底線，常高于溫度顯示的氧化層底線，升到正確的氧化層循環位置，2h內，預熱后氣化劑溫度高，降低氣化效率，時間延長，氧化層循環位置底線，低于溫度顯示的氧化層底線或重合，預熱后氣化劑溫度降低穩定，提高氣化效率，減少結渣，需要氧化層循環位置上升距離大，一次提高飽和溫度，氧化層循環位置上升40-100mm，小于或等于氧化層長度，氧化層溫度高，蒸汽分解率高，爐篦壽命延長。

氧化層循環位置每下降10mm，氣化劑中蒸汽含量減少3.0-5.5g/m³，煤氣壓力大，蒸汽減量大。

氧化層循環位置每上升10mm，氣化劑中蒸汽量增加3.0-5.5g／m³，煤氣壓力大，蒸汽增量大。

一次增加空氣、氧氣流量，爐內煤氣壓力增大，小于或等于60-100Pa，一次氧化層循環位置下降，小于或等于氧化層長度，氧化層長，一次爐內煤氣壓力增量范圍大，及時提高飽和溫度，升高氧化層循環位置。