[發明專利]一種采用低溫退火制備非晶NiW合金薄膜的方法

有效

• 申請號: 201310563319.0
• 申請日: 2013-11-11
• 公開（公告）號: CN103628004A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 黃平;王飛;陳自強;徐可為
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: C22C45/04
• 分類號: C22C45/04;C23C14/35;C23C14/58;C22F1/10
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 蔡和平

1.一種采用低溫退火制備非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，將納米晶NiW合金薄膜置于真空退火爐中，通過低溫退火制備非晶NiW合金薄膜。

2.根據權利要求1所述的采用低溫退火制備非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，所述納米晶NiW合金薄膜磁控濺射共沉積制備所得。

3.根據權利要求1或2所述的采用低溫退火制備非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，所述納米晶NiW合金薄膜及非晶NiW合金薄膜成份均為Ni₇₇W₂₃。

4.根據權利要求1、2或3所述的采用低溫退火制備非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

1）將單面拋光單晶硅基片分別用丙酮和酒精超聲30分鐘，吹干，放入真空磁控濺射設備的可旋轉基體支撐架上，準備鍍膜；

2）將Ni金屬源靶材安置在A號靶材座上作為A號靶，并將W金屬源靶材安置在B號靶材座上作為B號靶，工作時，首先使基體旋轉，然后真空室抽真空，通入Ar氣至真空室；開始共沉積，通過調節電流、電壓來改變濺射功率控制Ni和W的原子配比，調節沉積時間來控制薄膜厚度，這樣同時沉積并制備出納米晶NiW合金薄膜；

3）將磁控濺射沉積制備的納米晶NiW合金薄膜置于退火爐中，然后將爐中氣壓抽至1×10^-3Pa，調節退火溫度至473K，設置退火時間為1小時，退火結束后爐冷至室溫。

5.根據權利要求4所述的采用低溫退火制備非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，步驟2）中，基體旋轉的轉速為1圈/分鐘；所述真空室抽真空至氣壓為5×10^-4Pa，然后真空室內通入Ar氣，使氣壓為3×10^-1Pa。

6.根據權利要求4所述的采用低溫退火制備非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，濺射靶材的純度均大于99.95%。

7.根據權利要求4所述的采用低溫退火制備非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，步驟2）中，所述A號靶選用直流脈沖電源，濺射功率為124W，沉積速率為8-10nm/min。

8.根據權利要求4所述的采用低溫退火制備非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，步驟2）中，所述B號靶選用直流脈沖電源，濺射功率為65W，沉積速率為1-2nm/min。

9.根據權利要求4所述的采用低溫退火制備非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，共沉積時A號靶的直流磁控濺射電壓為325V；B號靶的直流磁控濺射電壓為350V，負偏壓為100V，基體與靶材的距離為8-10cm。

10.根據權利要求4所述的采用低溫退火制備非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，通過調節電流、電壓來改變濺射功率控制Ni和W的原子配比，使其達到Ni₇₇W₂₃。