[發(fā)明專利]一種具有應(yīng)力調(diào)制層的氮化鎵基LED薄膜芯片及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310563263.9
• 申請(qǐng)日: 2013-11-14
• 公開（公告）號(hào): CN103618035A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉軍林;王光緒;江風(fēng)益
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南昌黃綠照明有限公司;南昌大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/12
• 分類號(hào): H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 江西省專利事務(wù)所 36100
• 代理人: 張文

1.一種具有應(yīng)力調(diào)制層的氮化鎵基LED薄膜芯片，包括氮化鎵基LED薄膜、P面歐姆接觸金屬層、黏結(jié)層和硅基板，其特征在于：在P面歐姆接觸金屬層和黏結(jié)層之間設(shè)置有應(yīng)力調(diào)制層，所述應(yīng)力調(diào)制層為Pt和Cr兩種金屬交替堆疊形成的多個(gè)周期的厚度漸變的疊層結(jié)構(gòu)，即Cr/Pt/Cr/、、、Pt/Cr?/Pt結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基LED薄膜芯片，其特征在于：Pt金屬單層隨著與P面歐姆接觸金屬層間距的增大而逐漸變厚，而Cr金屬單層隨著與P面歐姆接觸金屬層間距的增大而逐漸變薄。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基LED薄膜芯片，其特征在于：所述應(yīng)力調(diào)制層的總厚度為0.1um～5um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基LED薄膜芯片，其特征在于：所述Pt金屬單層的厚度在10nm～50nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基LED薄膜芯片，其特征在于：所述Cr金屬單層的厚度不小于10nm～50nm?。

6.一種具有應(yīng)力調(diào)制層的氮化鎵基LED薄膜芯片的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：?

A、在生長(zhǎng)襯底上形成氮化鎵基LED薄膜；

B、在氮化鎵基LED薄膜上形成P面歐姆接觸金屬層；

C、在P面歐姆接觸金屬層上形成Cr金屬單層，然后在Cr金屬單層上形成Pt金屬單層，得到一組Cr/Pt金屬疊層；

D、重復(fù)步驟C得到多個(gè)周期的厚度漸變的Cr/Pt/Cr/、、、Pt/Cr?/Pt疊層結(jié)構(gòu)，即應(yīng)力調(diào)制層；其中Pt金屬單層隨著與P面歐姆接觸金屬層間距的增大而逐漸變厚，而Cr金屬單層隨著與P面歐姆接觸金屬層間距的增大而逐漸變薄；

E、在應(yīng)力調(diào)制層的表面上形成黏結(jié)層，并與硅基板粘結(jié)在一起；

F、去除生長(zhǎng)襯底，并制備表面粗化層、鈍化層以及電極，得到成品。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氮化鎵基LED薄膜芯片的制備方法，其特征在于：所述生長(zhǎng)襯底為藍(lán)寶石襯底、硅襯底或氮化硅襯底中的一種。