[發明專利]一種單晶硅太陽能電池制造工藝方法在審
| 申請號: | 201310562771.5 | 申請日: | 2013-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN104638055A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 梁堅;許國其;顧冬生;王豪兵;戴王帥 | 申請(專利權)人: | 江蘇天宇光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人: | 沈志海 |
| 地址: | 212362 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單晶硅 太陽能電池 制造 工藝 方法 | ||
1.一種單晶硅太陽能電池制造工藝方法,其特征在于:所述制造工藝方法包括以下步驟:
第一步:使用超聲波清洗單晶硅片表面的油污及手指印;
第二步:表面制絨,通過在制絨槽內配制的堿液進行單晶硅片表面制絨,并在堿液內添加TS4作為催化劑,所述催化劑TS4加快硅的腐蝕速度;
第三步:酸液清洗,使用酸液去除硅片表面的氧化層及金屬離子;
第四步:采用甩干機甩干酸液清洗后的單晶硅片;
第五步:將甩干后的單晶硅片放入擴散爐的石英容器內進行擴散,形成PN結;
第六步:對擴散后的硅片進行刻蝕,以去除硅片邊緣的PN結;
第七步:對單晶硅片進行二次清洗去除擴散時的在單晶硅片表面形成的磷硅玻璃;
第八步:制備減反射膜;
第九步:印刷電池,使得太陽能電池表面形成正極和負極;
第十步:燒結,印刷后的硅片,不能直接使用,需經燒結爐快速燒結,形成上下電極的歐姆接觸;
第十一步:成形,燒結結束的單晶硅片經過機械加工,便可形成單晶硅太陽能電池板。
2.根據權利要求1所述的一種單晶硅太陽能電池制造工藝方法,其特征在于:第二步制絨槽內的氫氧化鈉的質量體積比為2%,催化劑的體積比為1%。
3.根據權利要求1所述的一種單晶硅太陽能電池制造工藝方法,其特征在于:第三步酸液清洗的酸液為16%體積分數的氫氟酸(濃度49%)及28%體積分數的鹽酸(濃度37%)各酸洗5min。
4.根據權利要求1所述的一種單晶硅太陽能電池制造工藝方法,其特征在于:第四步所述的甩干機為離心式甩干機。
5.根據權利要求1所述的一種單晶硅太陽能電池制造工藝方法,其特征在于:第五步的擴散源為三氯氧磷,使用氮氣將三氯氧磷帶入擴散爐內高溫下與氧氣反應生成的磷原子擴散入硅原子的間隙。
6.根據權利要求1所述的一種單晶硅太陽能電池制造工藝方法,其特征在于:第八步所制備的減反射膜為氮化硅。
7.根據權利要求1所述的一種單晶硅太陽能電池制造工藝方法,其特征在于:第九步電池的印刷順序依次為背電極、背場、正電極,工序是:每個電極或者背場印刷好后先進入烘箱烘干,再進行下一個工序。
8.根據權利要求1所述的一種單晶硅太陽能電池制造工藝方法,其特征在于:第十步燒結是使用900~950度的高溫進行燒結。
9.根據權利要求7所述的一種單晶硅太陽能電池制造工藝方法,其特征在于:背電極刷銀漿,背場刷鋁漿,正電極刷銀漿。
10.根據權利要求7所述的一種單晶硅太陽能電池制造工藝方法,其特征在于:印刷好的單晶硅太陽能電池,從負極到正極其依次是背場、背電極、硅片、正電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





