[發明專利]晶圓切割和研磨用膜的加工工藝

無效

• 申請號: 201310562763.0
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN103560081A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 崔慶瓏
• 申請（專利權）人: 崔慶瓏
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體晶圓處理技術，尤其涉及一種晶圓切割和研磨用膜的加工工藝。

背景技術

晶圓切割、研磨等保護用膜即晶圓切割和研磨用膜，目前主要分為非UV型和UV型，其生產工藝都是采用調整配方的變化，通過涂布工序、分切工序、檢測包裝工序來完成客戶對不同粘著力的要求，這樣就需要每一種粘著力的產品都需要經過涂布工序、分切工序、檢測包裝工序等三個主要工序，其中涂布工序是最容易出問題最耗時的一道工序。

另外，調整配方需要很多步驟來驗證，這些步驟也需要經過涂布、分切等工序，非常浪費時間。

發明內容

本發明的目的是：提供一種晶圓切割和研磨用膜的加工工藝，可以減少這些工序，特別是涂布工序，經過一次涂布工序就能生產出多種不同粘著力的晶圓切割和研磨用膜產品。

為了實現上述目的，本發明的技術方案是：

一種晶圓切割和研磨用膜的加工工藝，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1，涂布工序；

步驟2，分切工序；

步驟3，檢測工序；

其中在步驟2進行的過程中，分切的同時進行預照射UV處理，通過調整照射UV量的多少來調整切割膜的粘性。

進一步的，在所述步驟2進行的過程中，通過調整分切的速度來調整切割膜的粘性。

進一步的，所述切割膜的粘性與照射UV量成反比，與切割速度成正比。

本發明由于采用了上述技術，使之與現有技術相比具有的積極效果是：本發明通過設備的設定，來調節UV照射量的多少和分切的速度來增大或者是減少晶圓切割和研磨用膜的粘著力，相比目前通過調節產品配方需要生產幾種不同粘性的保護膜就需要調整幾次配方，幾次涂布工序的傳統保護膜生產工藝，一次涂布工序就可以生產出多種不同粘性的晶圓切割和研磨用膜，減少了涂布工序次數,生產效率高。

附圖說明

圖1是本發明晶圓切割和研磨用膜的加工工藝的流程圖。

圖2是本發明照射UV設備的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖進一步說明本發明的實施例。

請參見圖1，一種晶圓切割和研磨用膜的加工工藝，包括以下步驟：

步驟1，涂布工序；

步驟2，分切工序；

步驟3，檢測工序；

其中在步驟2進行的過程中，分切的同時進行預照射UV處理，通過調整照射UV量的多少來調整切割膜的粘性。

在所述步驟2進行的過程中，通過調整分切的速度來調整切割膜的粘性。

選取晶圓切割膜B-363產品配方膠水，0.09mm厚度的PE膜基材，0.05mm厚度的單面硅離型PET膜復合，用精密涂布機涂布，速度35m/min，涂布干膠厚度為0.01mm，經過熟成后制成母卷產品A，經過分切制成300mm寬度的晶圓切割膜，按照國標GB/T2792-81測試產品A的180°粘著力為5.4N/in。

實施例1：對上述母卷產品A在分切的同時照射UV，分切速度為10m/min，照射量為50mj/cm²制成產品B，按照國標GB/T?2792-81測試產品B的180°粘著力為4.1N/in。

實施例2：對上述母卷產品A在分切的同時照射UV，分切速度為10m/min，照射量為75mj/cm²制成產品C，按照國標GB/T?2792-81測試產品C的180°粘著力為2.2N/in。相比于實施例1，實施例2增強了照射UV的量，產品的粘著力下降。

實施例3：對上述母卷產品A在分切的同時照射UV，分切速度為5m/min，照射量為75mj/cm²制成產品E，按照國標GB/T?2792-81測試產品E的180°粘著力為1.3N/in。相比于實施例2，實施例3的分切速度下降，產品的粘著力下降。

實施例4：對上述母卷產品A在分切的同時照射UV，分切速度為17m/min，照射量為20mj/cm²制成產品D，按照國標GB/T?2792-81測試產品D的180°粘著力為6.7N/in。相比于實施例3，減弱了照射UV的量、提高了分切速度，產品的粘著力大大增強。

如果按照傳統的保護膜生產工藝來生產晶圓切割和研磨用膜，以上五個產品需要五個不同的產品配方和五次涂布工序才能完成，按照本發明的生產工藝只需要一個產品配方和一次涂布工藝就可以完成，效率明顯提高。