[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201310562515.6
• 申請日: 2013-11-12
• 公開（公告）號: CN104638189A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;馮小明
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，包括陽極導電基板，在陽極導電基板表面依次層疊設置的有機發光功能層和陰極層，以及包括封裝層，其特征在于，所述封裝層包括在所述陰極層表面依次層疊設置的保護層、無機阻擋層、有機硅化合物層以及聚對苯二甲酸乙二酯膜，所述聚對苯二甲酸乙二酯膜與所述陽極導電基板形成封閉空間，所述有機發光功能層、陰極層、保護層、無機阻擋層和有機硅化合物層容置在所述封閉空間內；

所述保護層的材質為酞菁銅、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺、8-羥基喹啉鋁、一氧化硅、氟化鎂和硫化鋅中的一種；

所述無機阻擋層的材質為堿土金屬氧化物；

所述有機硅化合物層的材質為聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]和聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]中的一種。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述保護層的厚度為200nm～300nm，所述無機阻擋層的厚度為15nm～20nm，所述有機硅化合物層的厚度為1μm～1.5μm。

3.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在潔凈的導電基板表面制備有機電致發光器件的陽極圖形，形成陽極導電基板；

（2）采用真空蒸鍍的方法在陽極導電基板表面依次制備有機發光功能層和陰極層，蒸鍍速率為真空度為1×10^-5Pa～1×10^-3Pa；

（3）在陰極層表面制備封裝層，所述封裝層的制備方法如下：

（a）采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備保護層，所述保護層的材質為酞菁銅、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺、8-羥基喹啉鋁、一氧化硅、氟化鎂和硫化鋅中的一種；

（b）通過原子層沉積的方式在保護層上制備無機阻擋層，所述無機阻擋層的材質為堿土金屬氧化物；

（c）采用先旋涂后曝光的方法在聚對苯二甲酸乙二酯膜上制備有機硅化合物層，所述有機硅化合物層的材質為聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]和聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]中的一種；

（d）聚對苯二甲酸乙二酯膜的覆蓋：

將步驟（c）所得的覆有有機硅化合物層的聚對苯二甲酸乙二酯膜置于步驟（b）所述的無機阻擋層表面上，然后在所述聚對苯二甲酸乙二酯膜層的邊緣涂布環氧樹脂封裝膠，采用紫外光固化的方式干燥硬化封裝膠，將所述有機發光功能層、陰極層、保護層、無機阻擋層和有機硅化合物層封裝在所述聚對苯二甲酸乙二酯膜及陽極導電基板形成的封閉空間內，得到有機電致發光器件。

4.如權利要求3所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，步驟（a）中所述保護層的厚度為200nm～300nm，步驟（b）中所述無機阻擋層的厚度為15nm～20nm。

5.如權利要求3所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，步驟（a）中所述真空蒸鍍工藝采用的真空度為8×10^-5Pa～3×10^-5Pa，蒸發速度為

6.如權利要求3所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，步驟（b）中所述原子層沉積過程采用雙（乙基環戊二烯）堿土金屬化合物和水蒸氣作為前驅物，N₂作為載送氣體；所述雙（乙基環戊二烯）堿土金屬化合物的結構通式如A所示：

其中，M為堿土金屬。

7.如權利要求3所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，步驟（b）中所述原子層沉積過程的工藝參數為：控制雙（乙基環戊二烯）堿土金屬化合物和水蒸氣的注入時間均為10～20ms，兩者之間間隔5～10s的N₂，所述雙（乙基環戊二烯）堿土金屬化合物、水蒸氣和N₂的流量均為10～20sccm，控制工作壓強為10～50Pa，沉積溫度為40～60℃。