[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310562065.0
• 申請日: 2013-11-12
• 公開（公告）號: CN103558719A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郝思坤
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：一透明基板（60）、形成于透明基板（60）上的柵極線、形成于透明基板（60）上的薄膜晶體管、形成于透明基板（60）上的數(shù)據(jù)線（68）、形成于透明基板（60）及薄膜晶體管上的像素電極（62）、形成于像素電極（62）、透明基板（60）及數(shù)據(jù)線（68）上的鈍化層（64）、以及形成鈍化層（64）上的公共電極（66），所述鈍化層（64）包括：位于數(shù)據(jù)線（68）上的第一部分（72）、位于像素電極（62）上的第二部分（74）、以及位于透明基板（60）上且位于數(shù)據(jù)線（68）的兩側(cè)的第三部分（76），所述鈍化層（64）第一部分（72）的厚度大于第二部分（74）的厚度，所述像素電極（62）與所述公共電極（66）部分重疊以形成存儲(chǔ)電容。

2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層（64）第一部分（72）的厚度大于第三部分（76）的厚度，所述鈍化層（64）第二部分（74）的頂端與第三部分（76）的頂端平齊；所述像素結(jié)構(gòu)還包括一形成于薄膜晶體管及像素電極（62）之間的保護(hù)層。

3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管具有一柵極、一漏極及一源極，所述柵極與柵極線電性連接，所述源極與數(shù)據(jù)線（68）電性連接，所述漏極與像素電極（62）電性連接，所述像素電極（62）為一透明導(dǎo)電層，所述公共電極（66）為一透明導(dǎo)電層。

4.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟11、提供一透明基板（60）；

步驟12、在所述透明基板（60）上沉積形成柵極線、薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線（68）及像素電極（62）；

步驟13、在所述透明基板（60）、數(shù)據(jù)線（68）及像素電極（62）上沉積形成鈍化層（64），所述鈍化層（64）包括：位于所述數(shù)據(jù)線（68）上的第一部分（72）、位于像素電極（62）上的第二部分（74）以及位于透明基板（60）上且位于數(shù)據(jù)線（68）兩側(cè)的第三部分（76）；

步驟14、對外圍線路上的鈍化層（64）進(jìn)行蝕刻，以完成第一次蝕刻，之后對鈍化層（64）的第二部分（74）進(jìn)行蝕刻，以完成第二次蝕刻，以減小鈍化層（64）第二部分（74）的厚度，使得鈍化層（64）第一部分（72）的厚度大于第二部分（74）的厚度；

步驟15、在所述鈍化層（64）上沉積形成公共電極（66）。

5.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟12還包括在所述透明基板（60）上形成一保護(hù)層，所述保護(hù)層形成于所述薄膜晶體管與所述像素電極（62）之間。

6.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟14中的第二次蝕刻還包括對鈍化層（64）的第三部分（76）進(jìn)行蝕刻，第二次蝕刻完成后，所述鈍化層（64）第一部分（72）的厚度大于第三部分（76）的厚度，所述鈍化層（64）第二部分（74）的頂端與第三部分（76）的頂端平齊。

7.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述像素電極（62）為一透明導(dǎo)電層，所述公共電極（66）為一透明導(dǎo)電層。

8.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟21、提供一透明基板（60）；

步驟22、在所述透明基板（60）上沉積形成柵極線、薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線（68）及像素電極（62）；

步驟23、在所述透明基板（60）、數(shù)據(jù)線（68）及像素電極（62）上沉積形成一第一鈍化層（92），對所述第一鈍化層（92）進(jìn)行蝕刻，僅保留數(shù)據(jù)線（68）上方的第一鈍化層（92），其它部分蝕刻掉；

步驟24、在所述透明基板（60）、像素電極（62）及第一鈍化層（92）上沉積形成一第二鈍化層（94），對所述第二鈍化層（94）進(jìn)行蝕刻，將外圍線路上的第二鈍化層（94）蝕刻掉，其它部分保留；

步驟25、在所述第二鈍化層（94）上沉積形成公共電極（66）。

9.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一鈍化層（92）的厚度大于所述第二鈍化層（94）的厚度。

10.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟22還包括在透明基板（60）上形成一保護(hù)層，所述保護(hù)層形成于所述薄膜晶體管與所述像素電極（62）之間；所述像素電極（62）為一透明導(dǎo)電層，所述公共電極（66）為一透明導(dǎo)電層。