[發明專利]一種防止存儲器芯片內部存儲單元上下電被改寫電路結構有效
| 申請號： | 201310561969.1 | 申請日： | 2013-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN103594113A | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發明（設計）人： | 張愛東;金建明 | 申請（專利權）人： | 無錫普雅半導體有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/56 | 分類號： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 無錫盛陽專利商標事務所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顧吉云 |
| 地址： | 214102 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 防止 存儲器 芯片 內部 存儲 單元 上下 改寫 電路 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種防止存儲器芯片內部存儲單元上下電被改寫電路結構，其包括復位電路，所述復位電路連接存儲器控制邏輯電路和存儲單元，所述存儲單元通過控制線、地址線、數據線連接存儲器控制邏輯電路，所述存儲器控制邏輯電路連接芯片接口電路，其特征在于，所述存儲器控制邏輯電路上設置復位地址控制邏輯電路。
2.?根據權利要求1所述的一種防止存儲器芯片內部存儲單元上下電被改寫電路結構，其特征在于，所述存儲單元上設置例外地址控制邏輯電路，所述復位地址控制邏輯電路連接所述例外地址控制邏輯電路。
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