[發明專利]半導體發光元件和發光裝置

有效

• 申請號: 201310561694.1
• 申請日: 2013-11-12
• 公開（公告）號: CN103811617B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 篠原裕直
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/36
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;楊光軍

技術領域

本發明涉及半導體發光元件和發光裝置。

背景技術

使用GaInN、AlInGaP、GaAlAs等的發光層的半導體發光元件，被利用作為發光效率高的發光二極管。例如，使用GaInN等III族氮化物半導體的半導體發光元件，例如在藍寶石等的基板上形成包含發光層的III族氮化物半導體層而構成。而且，存在下述的結構：通過以面朝上的方式對配線基板安裝半導體發光元件，將從發光層輸出的光射出到外部。

作為公報記載的現有技術，存在一種半導體發光元件，其構成為，在基板上層疊n型半導體層、發光層和p型半導體層，在成為與基板相反側的p型半導體層上形成p電極，并且，在通過部分除去p型半導體層和發光層兩者而在與基板相反的一側露出的n型半導體層上形成n電極（參照專利文獻1）。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-28495號公報

發明內容

但是，為了形成n電極，而采用通過除去p型半導體層和發光層兩者而使n型半導體層露出的構成的情況下，半導體發光元件中的發光層的面積減少，有相應地來自半導體發光元件的光輸出降低之虞。

另外，在采用不除去p型半導體層和發光層兩者、且在與發光層對向的部位配置n電極的構成的情況下，從發光層輸出的光會被n電極吸收，其結果，存在來自半導體發光元件的光輸出變得難以增加之虞。

發明內容

本發明的目的是使來自通過面朝上安裝而使用的半導體發光元件的光的輸出增加。

本發明的半導體發光元件，其特征在于，具備：由具有第1導電類型的化合物半導體構成的第1半導體層；在所述第1半導體層上與該第1半導體層接觸地設置，由化合物半導體構成且通過通電而發光的發光層；在所述發光層上與該發光層接觸地設置，由具有與所述第1導電類型不同的第2導電類型的化合物半導體構成的第2半導體層；從所述發光層觀察設在所述第2半導體層的背面側，由對于從該發光層輸出的波長的光具有透射性的絕緣材料構成，且被設定為第1厚度的第1透明絕緣層；從所述發光層觀察設在所述第1透明絕緣層的背面側，由金屬構成且與所述第1半導體層電連接的第1供電電極；從所述發光層觀察設在所述第1透明絕緣層的背面側，由金屬構成且與所述第2半導體層電連接的第2供電電極；和從所述發光層觀察設在所述第1透明絕緣層的背面側，由對于從該發光層輸出的波長的光具有透射性的絕緣材料構成，且被設定為第2厚度的第2透明絕緣層，

將所述第1厚度設定為從所述發光層輸出的波長的光容易被反射的大小，將所述第1厚度加上所述第2厚度所得的第3厚度設定為從所述發光層輸出的波長的光容易被透射的大小。

在這樣的半導體發光元件中，能夠使其特征在于，還具有：經由貫穿所述第1透明絕緣層、所述第2半導體層以及所述發光層的孔而與所述第1半導體層電連接的第1連接電極；和從該發光層觀察設在該第1透明絕緣層的背面側，將該第1連接電極和所述第1供電電極電連接的第1輔助電極，所述第2透明絕緣層以覆蓋所述第1輔助電極的方式設置。

另外，能夠使其特征在于，還具有：經由貫穿所述第1透明絕緣層的孔而與所述第2半導體層電連接的第2連接電極；和從所述發光層觀察設在該第1透明絕緣層的背面側，將該第2連接電極和所述第2供電電極電連接的第2輔助電極，所述第2透明絕緣層以覆蓋所述第2輔助電極的方式設置。

進而，能夠使其特征在于，所述第1透明絕緣層和所述第2透明絕緣層由相同材料構成。

進而，能夠使其特征在于，所述化合物半導體包含III族氮化物半導體，所述第1半導體層直接或介由其他的層層疊在基板之上。

另外，從其他的觀點考慮，本發明的發光裝置，其特征在于，包括：形成有第1配線以及第2配線的基部；和針對該基部面朝上連接的半導體發光元件，