[發明專利]發光顯示裝置在審
| 申請號: | 201310561326.7 | 申請日: | 2013-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN104637977A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 劉振宇;龔立偉;林熙乾;盧宏傑 | 申請(專利權)人: | 宸鴻光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02B27/28;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍;林玖玲 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 顯示裝置 | ||
1.一種發光顯示裝置,其特征在于,該發光顯示裝置包含:
一發光組件,具有一上開口;及
一封裝組件,至少部分覆蓋該發光組件的該上開口,并包括一增亮抗反射結構,該增亮抗反射結構具有:
一線偏光層,設于間隔該發光組件處,用以將一具有一第一線偏振方向的線偏光通過,并阻隔一具有一第二線偏振方向的線偏光通過,該第二線偏振方向與該第一線偏振方向相互垂直,
一四分之一波板,設于該線偏光層及該發光組件之間,將沿該第一線偏振方向偏振的線偏光及沿一第一圓偏振方向偏振的圓偏光相互轉換,或將沿該第二線偏振方向偏振的線偏光及沿一第二圓偏振方向偏振的圓偏光相互轉換,該第二圓偏振方向與該第一圓偏振方向相互反向,及
一反射偏光層,設于該四分之一波板及該發光組件之間,用以將一具有該第一圓偏振方向的圓偏光通過,并反射一具有該第二圓偏振方向的圓偏光。
2.根據權利要求1所述的發光顯示裝置,其特征在于:該封裝組件還包括一觸控感測結構,該觸控感測結構具有一第一觸控電極層,該觸控感測結構至少設于該線偏光層與該四分之一波板之間、設于該四分之一波板與該反射偏光層之間或設于該反射偏光層與該發光組件之間。
3.根據權利要求2所述的發光顯示裝置,其特征在于:該觸控感測結構還具有一基板,該基板供該第一觸控電極層設置其上,且該觸控感測結構還至少或設于該線偏光層相反于該四分之一波板的另一側。
4.根據權利要求2或3所述的發光顯示裝置,其特征在于:該第一觸控電極層具有多個交錯間隔排列的楔形或菱形的第一電極列。
5.根據權利要求1所述的發光顯示裝置,其特征在于:該封裝組件還包括一觸控感測結構,該觸控感測結構具有一第一觸控電極層與一第二觸控電極層,且該第一觸控電極層與該第二觸控電極層間隔地設于該四分之一波板、該反射偏光層、該四分之一波板與該反射偏光層之結合的其中之一的兩相反側。
6.根據權利要求2所述的發光顯示裝置,其特征在于:該觸控感測結構還具有一基板及一第二觸控電極層,該第一觸控電極層與該第二觸控電極層設置于該基板的兩相反側。
7.根據權利要求1所述的發光顯示裝置,其特征在于:該封裝組件還包括一觸控感測結構,該觸控感測結構具有一第一觸控電極層與一第二觸控電極層,且該發光組件還具有一上電極層,該觸控感測結構的第一觸控電極層至少設于該線偏光層與該四分之一波板之間、設于該四分之一波板與該反射偏光層之間或設于該反射偏光層與該發光組件之間,該觸控感測結構的第二觸控電極層設于該上電極層處。
8.根據權利要求7所述的發光顯示裝置,其特征在于:該觸控感測結構的第二觸控電極層與該上電極層形成電性連接或為一體式結構。
9.根據權利要求7所述的發光顯示裝置,其特征在于:該觸控感測結構還具有一絕緣層,該絕緣層設于該第二觸控電極層與該上電極層之間。
10.根據權利要求5、6、9中任一權利要求所述的發光顯示裝置,其特征在于:該第一觸控電極層具有多個沿一第一方向排列的第一電極列,該第二觸控電極層具有多個沿一第二方向排列的第二電極列,該第二方向與該第一方向相互交錯。
11.一種發光顯示裝置,其特征在于,該發光顯示裝置包含:
一發光組件,具有一上開口;
一封裝組件,至少部分覆蓋該發光組件的該上開口,并包括一增亮抗反射結構,該增亮抗反射結構具有:
一線偏光層,設于間隔該發光組件處,用以將一具有一第一線偏振方向的線偏光通過,并阻隔一具有一第二線偏振方向的線偏光通過,該第二線偏振方向與該第一線偏振方向相互垂直,
一四分之一波板,設于該線偏光層與該發光組件之間,將沿該第一線偏振方向偏振的線偏光及沿一第一圓偏振方向偏振的圓偏光相互轉換,或將沿該第二線偏振方向偏振的線偏光及沿一第二圓偏振方向偏振的圓偏光相互轉換,該第二圓偏振方向與該第一圓偏振方向相互反向,及
一反射偏光層,設于該四分之一波板及該發光組件之間,用以將一具有該第一圓偏振方向的圓偏光通過,并反射一具有該第二圓偏振方向的圓偏光;及一蓋板,設于該線偏光層相反于該四分之一波板的另一側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





