[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法在審
| 申請號: | 201310561283.2 | 申請日: | 2013-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN104638166A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;鐘鐵濤;王平;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發光器件,包括陽極導電基板以及在陽極導電基板表面依次層疊設置的有機發光功能層、陰極層和封裝層,其特征在于,所述封裝層包括依次層疊設置的有機阻擋層和無機阻擋層;
所述有機阻擋層的材質為氫化碳氮化合物;
所述無機阻擋層的材質為錸氧化物、合金、金屬硫化物和金屬氟化物形成的混合材料;所述錸氧化物包括一氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸和三氧化錸;所述合金為鎳鈦合金、銀鎘合金、銅鎘合金、銅鋁合金、銅鎳合金和鋁鋅合金中的至少一種;所述金屬硫化物為硫化鎘、硫化鉛、二硫化亞鐵、硫化銅、硫化鋅和硫化鎳中的至少一種;所述金屬氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣和氟化鋇中的至少一種。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述有機阻擋層的厚度為400nm~600nm。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述無機阻擋層中所述錸氧化物占所述混合材料總重量的重量百分比為10%~30%,所述合金占所述混合材料總重量的重量百分比為10%~30%,所述金屬硫化物占所述混合材料總重量的重量百分比為10%~20%。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述無機阻擋層的厚度為200nm~300nm。
5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述有機阻擋層和無機阻擋層形成一個結構單元,所述封裝層為3~5個結構單元層疊而成。
6.一種有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)在潔凈的導電基板表面制備有機電致發光器件的陽極圖形,形成陽極導電基板;
(2)通過真空蒸鍍的方式在陽極導電基板表面依次制備有機發光功能層和陰極層,蒸鍍速率為真空度為1×10-5Pa~1×10-3Pa;
(3)在陰極層表面制備封裝層,所述封裝層包括依次層疊設置的有機阻擋層和無機阻擋層,所述封裝層的制備方法如下:
(a)采用等離子增強化學氣相沉積的方法在陰極層表面制備有機阻擋層;采用CH4和N2作為反應氣體,控制CH4流量為5sccm~15sccm,N2流量為5sccm~15sccm,工作壓強為10Pa~80Pa,射頻功率為0.1W/cm2~0.5W/cm2;
(b)采用真空蒸鍍的方式在有機阻擋層表面制備無機阻擋層,真空度為1×10-5Pa~1×10-3Pa,蒸鍍速率為所述無機阻擋層的材質為錸氧化物、合金、金屬硫化物和金屬氟化物形成的混合材料;所述錸氧化物包括一氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸和三氧化錸;所述合金為鎳鈦合金、銀鎘合金、銅鎘合金、銅鋁合金、銅鎳合金和鋁鋅合金中的至少一種;所述金屬硫化物為硫化鎘、硫化鉛、二硫化亞鐵、硫化銅、硫化鋅和硫化鎳中的至少一種;所述金屬氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣和氟化鋇中的至少一種。
7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,步驟(a)中所述有機阻擋層的沉積厚度為400nm~600nm。
8.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,步驟(b)中所述錸氧化物占所述混合材料總重量的重量百分比為10%~30%,所述合金占所述混合材料總重量的重量百分比為10%~30%,所述金屬硫化物占所述混合材料總重量的重量百分比為10%~20%。
9.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,步驟(b)中所述無機阻擋層的厚度為200nm~300nm。
10.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述有機阻擋層和無機阻擋層形成一個結構單元,在步驟(b)后依次按步驟(a)、(b)順序交替重復步驟(3)3~5次,制備得到3~5個所述結構單元重復形成的封裝層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





