[發明專利]一種垂直方向納米網格結構的制備方法

有效

• 申請號: 201310561224.5
• 申請日: 2013-11-12
• 公開（公告）號: CN103617947A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: 吳文剛;張凱;馬鵬程;王詣斐
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B82Y10/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢;王春霞

1.一種垂直方向納米網格結構的制備方法，包括如下步驟：

（1）通過化學氣相沉積法，在Si襯底表面上生長SiO₂薄膜；

（2）在所述SiO₂薄膜上旋涂光刻膠，并對所述光刻膠依次進行前烘、曝光、后烘和顯影，即在所述SiO₂薄膜上得到電子束光刻對準標記圖形；

（3）根據電子束光刻對準標記圖形進行電子束曝光，得到納米量級的線條；

（4）刻蝕所述SiO₂薄膜，則在所述SiO₂薄膜上得到所述納米量級的線條；

（5）通過深反應離子刻蝕所述Si襯底，即獲得垂直方向上的納米網格結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述SiO₂薄膜的厚度為20nm～142nm。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述光刻膠為蘇州瑞紅AZ601。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于：步驟（3）中，所述電子束曝光的條件為：加速電壓為60～80kV，電子束流為1.0nA～3.0nA，光闌為15～50μm，束斑大小為1～5，曝光劑量為160～400μC/cm²。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其特征在于：所述納米量級的線條的寬度為50nm～800nm。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于：所述深反應離子刻蝕的條件為：在氣壓為100mTorr和刻蝕速率為2μm/min的條件下，SF₆和C₄F₈交替進行刻蝕。

7.根據權利要求1-7中任一項所述的方法，其特征在于：所述納米網格結構的垂直深度為0nm～1000nm，但不為零。