[發明專利]基于鉺銩釹共摻光纖的超寬帶光源

無效

• 申請號: 201310560042.6
• 申請日: 2013-11-12
• 公開（公告）號: CN103682959A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 姜淳;孫璐;張瑤晶
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: H01S3/067
• 分類號: H01S3/067
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.基于鉺銩釹共摻光纖的超寬帶光源，其特征在于，包括若干泵浦激光器、泵浦耦合器和鉺銩釹共摻光纖，其中，所述鉺銩釹共摻光纖是指摻雜了鉺、銩、釹三種稀土離子的光纖；若干所述泵浦激光器的輸出端分別與所述泵浦耦合器的入口連接，所述泵浦耦合器的出口與所述鉺銩釹共摻光纖的一端連接，所述鉺銩釹共摻光纖的另一端為所述基于鉺銩釹共摻光纖的超寬帶光源的輸出端；

若干所述泵浦激光器發出單波長或多波長的泵浦光，所述泵浦光通過所述泵浦耦合器進行耦合后進入所述鉺銩釹共摻光纖，所述泵浦光使所述鉺銩釹共摻光纖中的鉺離子、銩離子、釹離子分別發射以1530nm、1470nm、1310nm為中心的多波段的自發輻射和受激輻射，并由此產生寬帶自發輻射光，所述寬帶自發輻射光由所述超寬帶光源的輸出端發射。

2.根據權利要求1所述的基于鉺銩釹共摻光纖的超寬帶光源，其特征在于，所述鉺銩釹共摻光纖中，鉺的摻雜濃度范圍為10²²-10²⁶個/m³，銩的摻雜濃度范圍為10²²-10²⁶個/m³，釹的摻雜濃度范圍為10²²-10²⁶個/m³，鉺銩釹濃度之間的比例范圍為(1~10):(1~10):(1~10)。

3.根據權利要求2所述的基于鉺銩釹共摻光纖的超寬帶光源，其特征在于，所述鉺銩釹共摻光纖的長度為0.1-100m。

4.根據權利要求1所述的基于鉺銩釹共摻光纖的超寬帶光源，其特征在于，所述泵浦激光器采用輸出波長為800nm或793nm或808nm或980nm泵浦光的激光器。

5.根據權利要求1所述的基于鉺銩釹共摻光纖的超寬帶光源，其特征在于，所述泵浦耦合器采用單輸入單輸出耦合器或多輸入單輸出泵浦耦合器。

6.根據權利要求1所述的基于鉺銩釹共摻光纖的超寬帶光源，其特征在于，所述超寬帶光源的輸出端發射的寬帶自發輻射光的波長范圍為1280nm至1625nm。