[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310559852.X
• 申請(qǐng)日: 2013-11-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104638156A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;馮小明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽(yáng)極導(dǎo)電基板以及在陽(yáng)極導(dǎo)電基板表面依次層疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光功能層、金屬陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層包括依次層疊設(shè)置的無(wú)機(jī)阻擋層和混合阻擋層；所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為堿土金屬氧化物；所述混合阻擋層的材質(zhì)包括鎵的環(huán)鏈烷以及摻雜在所述鎵的環(huán)鏈烷中的無(wú)機(jī)氟化物；所述無(wú)機(jī)氟化物為AlF₃、HfF₄、ZrF₄、LiF、CeF₂和YF₃中的至少一種，所述鎵的環(huán)鏈烷的結(jié)構(gòu)通式如P所示：

其中，m是5～15的整數(shù)，R¹既可以相同也可以相異，表示碳原子數(shù)為1～6的直鏈烷基、支鏈烷基或環(huán)烷基，n是0～m-1之間的整數(shù)，k是1～10的整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為15nm～20nm，所述混合阻擋層的厚度為200nm～300nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)氟化物在混合阻擋層材質(zhì)中的摻雜摩爾分?jǐn)?shù)為20%～40%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻擋層和混合阻擋層形成一個(gè)結(jié)構(gòu)單元，所述封裝層為4～6個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成。

5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在潔凈的導(dǎo)電基板表面制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極圖形，形成陽(yáng)極導(dǎo)電基板；

（2）通過(guò)真空蒸鍍的方式在陽(yáng)極導(dǎo)電基板表面依次制備有機(jī)發(fā)光功能層和金屬陰極，蒸鍍速率為真空度為1×10^-5Pa～1×10^-3Pa；

（3）在金屬陰極表面制備封裝層，所述封裝層包括依次層疊設(shè)置的無(wú)機(jī)阻擋層和混合阻擋層，所述封裝層的制備方法如下：

（a）通過(guò)原子層沉積的方式在金屬陰極表面制備無(wú)機(jī)阻擋層，所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為堿土金屬氧化物；采用雙（乙基環(huán)戊二烯）堿土金屬化合物和水蒸氣作為前驅(qū)物，N₂作為載送氣體；所述雙（乙基環(huán)戊二烯）堿土金屬化合物的結(jié)構(gòu)通式如A所示：

其中，M為堿土金屬；

（b）采用磁控濺射的方式在所述無(wú)機(jī)阻擋層表面制備混合阻擋層；所述混合阻擋層的材質(zhì)包括鎵的環(huán)鏈烷以及摻雜在所述鎵的環(huán)鏈烷中的無(wú)機(jī)氟化物；所述無(wú)機(jī)氟化物為AlF₃、HfF₄、ZrF₄、LiF、CeF₂和YF₃中的至少一種，所述鎵的環(huán)鏈烷的結(jié)構(gòu)通式如P所示：

其中，m是5～15的整數(shù)，R¹既可以相同也可以相異，表示碳原子數(shù)為1～6的直鏈烷基、支鏈烷基或環(huán)烷基，n是0～m-1之間的整數(shù)，k是1～10的整數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（a）中所述無(wú)機(jī)阻擋層的沉積厚度為15nm～20nm，步驟（b）中所述混合阻擋層的沉積厚度為200nm～300nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（a）中所述原子層沉積過(guò)程的工藝參數(shù)為：控制雙（乙基環(huán)戊二烯）堿土金屬化合物和水蒸氣的注入時(shí)間均為10～20ms，兩者之間間隔5～10s的N₂，所述雙（乙基環(huán)戊二烯）堿土金屬化合物、水蒸氣和N₂的流量均為10～20sccm，控制工作壓強(qiáng)為10～50Pa，沉積溫度40～60℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（b）中所述無(wú)機(jī)氟化物在混合阻擋層材質(zhì)中的摻雜摩爾分?jǐn)?shù)為20%～40%。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（b）中所述磁控濺射過(guò)程的工藝參數(shù)為：加速電壓控制在300～800V，磁感應(yīng)強(qiáng)度為50～200G，功率密度為1～40W/cm²，本底真空度為1×10^-5～1×10^-3Pa。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻擋層和混合阻擋層形成一個(gè)結(jié)構(gòu)單元，在步驟（b）后依次按步驟（a）、（b）順序交替重復(fù)步驟（3）4～6次，制備得到4～6個(gè)所述結(jié)構(gòu)單元重復(fù)形成的封裝層。