[發明專利]用于中介層的去耦電容器

無效

• 申請號: 201310559850.0
• 申請日: 2013-11-12
• 公開（公告）號: CN103811462A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 翟軍
• 申請（專利權）人: 輝達公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;謝栒

1.一種用于集成電路的中介層，包括：

具有第一導電型的襯底；

在所述襯底的上表面上的所述第一導電型的摻雜區；

在所述襯底的所述上表面上的第二導電型的摻雜區；

安置在所述襯底的所述上表面之上的第一氧化層，所述第一氧化層具有穿過其的開口以暴露所述第一導電型的所述摻雜區的一部分和所述第二導電型的所述摻雜區的一部分；

安置在所述第一氧化層之上的第二氧化層；以及

在安置在所述第二氧化層中的通孔內所形成的多個互連。

2.根據權利要求1所述的中介層，其中所述襯底是p型硅襯底，所述第一導電型是p型，以及所述第二導電型是n型。

3.根據權利要求1所述的中介層，其中所述第一氧化層和所述第二氧化層包括二氧化硅。

4.根據權利要求1所述的中介層，其中所述第一氧化層具有約10埃到約200埃的厚度。

5.根據權利要求1所述的中介層，其中所述第一導電型的所述摻雜區具有約1x10¹⁵個原子/立方厘米的摻雜濃度。

6.一種用于集成電路的中介層，包括：

具有第一導電型的襯底；

在所述襯底的上表面上的第二導電型的摻雜區；

安置在所述襯底的所述上表面上的第一氧化層，所述第一氧化層具有穿過其的開口以暴露所述襯底的部分；

安置在所述第一氧化層上的多晶硅層，所述多晶硅層包括所述第二導電型的摻雜物；

安置在所述多晶硅層和所述第一氧化層之上的第二氧化層；以及

在安置在所述第二氧化層中的通孔內所形成的多個互連。

7.根據權利要求6所述的中介層，其中所述第一氧化層具有約40埃到約90埃的厚度。

8.根據權利要求6所述的中介層，其中所述第二氧化層具有約4000埃到約6000埃的厚度。

9.根據權利要求6所述的中介層，進一步包括鎢觸點，其電耦連于第一互連和所述多晶硅層。

10.根據權利要求6所述的中介層，其中所述多晶硅層具有約2000埃的厚度。