[發(fā)明專利]一種改善選擇性發(fā)射極太陽能電池片噴蠟斷線的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310558755.9 | 申請日: | 2013-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN104638054A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周艷霞 | 申請(專利權)人: | 浙江鴻禧能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 無 | 代理人: | 無 |
| 地址: | 314206 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 選擇性 發(fā)射極 太陽能電池 片噴蠟 斷線 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及選擇性發(fā)射極太陽能電池片的制造技術,具體地涉及一種改善選擇性發(fā)射極太陽能電池片噴蠟斷線的方法。
背景技術
選擇性發(fā)射極(SE)太陽能電池即在金屬柵線(電極)與硅片接觸部位進行重摻雜,在電極之間位置進行輕摻雜。該工藝既可以保證金屬柵線區(qū)有比較好的接觸電阻,在非柵線區(qū)的輕摻雜又能改善擴散后的死層問題。目前大多數(shù)公司采用的SE工藝流程如下:清洗制絨,低方阻擴散,噴涂掩膜,背刻蝕和正面刻蝕,PECVD鍍膜,印刷燒結。該工藝流程可以使金屬柵線區(qū)保證高濃度、較深的PN結,非柵線區(qū)由于正面刻蝕的原因,將硅片去掉約10nm左右的一層,最終得到低濃度、較淺的PN結。該工序經(jīng)常發(fā)生由于噴頭堵塞導致的圖形斷線問題,且生存過程中不易發(fā)現(xiàn)。在實際生產(chǎn)中噴涂的掩膜為石蠟,該斷線問題使得掩膜缺失,使本該被掩膜保護的區(qū)域被刻蝕掉,導致該區(qū)域形成低濃度、較淺的PN結,印刷金屬柵線后影響接觸電阻,使得電池片的串聯(lián)電阻上升從而導致電池片的效率降低。噴蠟過程中小的斷線很難被及時發(fā)現(xiàn),導致大量低效率電池片的產(chǎn)生。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種改善選擇性發(fā)射極太陽能電池片噴蠟斷線的方法,降低電池片的低效比例。
為了解決上述技術問題,本發(fā)明采用的技術方案是提供一種改善選擇性發(fā)射極太陽能電池片噴蠟斷線的方法,具體步驟如下:
(1)???在噴蠟機臺的正上方安裝兩個紫光燈,分別位于機臺的左右或者前后兩側,同時要保證兩個紫光燈打在機臺上的光區(qū)有交叉區(qū)域,紫光燈需安裝在載片臺上1~1.2m高的位置;
(2)???在制備掩膜的過程中,打開紫光燈,按照噴蠟圖形采用帶有熒光成分的石蠟進行噴蠟制備掩膜,在紫光燈下發(fā)出熒光,與非掩膜區(qū)域會形成非常鮮明的對比,如果此時掩膜圖形存在斷線問題將會被及時發(fā)現(xiàn)。
本發(fā)明的有益效果是在選擇性發(fā)射極太陽能電池片制備掩膜的過程中極易發(fā)現(xiàn)斷線問題,使電池片中低效片的比例降低8%。
附圖說明
?附圖1?本發(fā)明提供的技術方案實施時的示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





