[發明專利]一種太陽能電池柵線電極的制備方法

有效

• 申請號: 201310558360.9
• 申請日: 2013-11-12
• 公開（公告）號: CN104638053A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 林朝暉;王樹林
• 申請（專利權）人: 泉州市博泰半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種太陽能電池柵線電極的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

在硅基片兩面分別貼覆一層感光干膜；確定出干膜下硅基片的具體位置，在干膜上裝上掩模板，該掩膜板上具有所需的柵線網格圖形；根據確定的硅基片位置使所述掩模板與硅基片完全重合；對硅基片上的干膜進行曝光，將掩模板的柵格圖形轉移到干膜表面；對曝光過后的硅基片進行顯影，使硅基片表面形成柵線網格圖形；在硅基片表面的柵線網格圖形上電鍍上導電材料，形成太陽能電池的柵線電極。

2.如權利要求1所述的太陽能電池柵線電極的制備方法，其特征在于，所述確定出干膜下硅基片的具體位置為采用高度測量法確定出干膜下硅基片的具體位置：采用高度測量儀在干膜表面任一方向上掃描，在高度變化處確定一個點，該點就位于硅基片邊緣處，用同樣的方法確定出硅基片至少三個方向上的點的硅基片邊緣位置，確定出干膜下硅基片的位置。

3.如權利要求1所述的太陽能電池柵線電極的制備方法，其特征在于，所述確定出干膜下硅基片的具體位置為采用CCD拍照法確定干膜下硅基片的位置：根據CCD像素強度不同輸出值不同，該輸出值反應干膜表面高度的變化特征，確定出干膜下硅基片的位置。

4.如權利要求1所述的太陽能電池柵線電極的制備方法，其特征在于，所述方法還包括步驟：在硅基片表面的柵線網格圖形上電鍍上導電材料之后移除多余干膜。

5.如權利要求4所述的太陽能電池的柵線電極的制備方法，其特征在于，所述方法還包括步驟：在移除多余干膜后采用腐蝕液腐蝕去除硅基片表面的種子金屬薄膜。

6.如權利要求1所述的太陽能電池柵線電極的制備方法，其特征在于，所述用于曝光的敏感光為強紫外光。

7.如權利要求1所述的一種太陽能電池柵線電極的制備方法，其特征在于，所述干膜為正膠，顯影處理后曝光部分干膜被去除，未曝光部分保留。

8.如權利要求1所述的一種太陽能電池柵線電極的制備方法，其特征在于，所述干膜為負膠，顯影處理后曝光部分干膜保留，未曝光部分被去除。

9.如權利要求1所述的太陽能電池柵線電極的制備方法，其特征在于，所述在柵線網格圖形上鍍上的導電材料為金屬銅。