[發明專利]固態圖像傳感器、制造固態圖像傳感器的方法及相機有效
| 申請號: | 201310557942.5 | 申請日: | 2013-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN103811508A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 曾田岳彥 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 圖像傳感器 制造 方法 相機 | ||
1.一種固態圖像傳感器,包括:
半導體層,具有第一面和第二面;以及
布線結構,被布置在第一面那一側,
其中,多個光電轉換器被布置在半導體層中,
其中,來自物體的光入射在第二面上,
其中,布線結構包括:
多個反射部分,被布置用于所述多個光電轉換器中的至少一些光電轉換器,所述多個反射部分中的每一個都具有反射區域;
多個光吸收部分,其中的每一個被布置在所述多個反射部分中的對應一個反射部分的反射區域周圍;
絕緣體部分,被布置為圍繞所述多個光吸收部分中的每一個;
層間絕緣膜,被布置在第一面與所述多個反射部分、所述多個光吸收部分和所述絕緣體部分的群組之間,以及
其中,所述多個光吸收部分中的每一個的反射率小于所述多個反射部分中的對應一個反射部分的反射區域的反射率,并且所述多個光吸收部分中的每一個的光透射率小于所述絕緣體部分的光透射率。
2.如權利要求1所述的傳感器,其中,光吸收部分由導電材料制成。
3.如權利要求1所述的傳感器,其中,光吸收部分具有經由所述層間絕緣膜而面向所述第一面的光入射表面以及在所述光入射表面的相對側的表面,以及
其中,反射部分包括覆蓋在所述相對側的所述表面的部分。
4.如權利要求3所述的傳感器,其中,光吸收部分的外邊緣與反射部分的外邊緣相一致。
5.如權利要求1所述的傳感器,其中,所述多個反射部分被形成為用于傳送電信號的布線圖案的一部分。
6.如權利要求1所述的傳感器,其中,所述多個光電轉換器包括:第一光電轉換器,第一波長范圍的光入射在其上;第二光電轉換器,具有比所述第一波長范圍短的第二波長范圍內的波長的光入射在其上;以及第三光電轉換器,具有比所述第二波長范圍短的第三波長范圍內的波長的光入射在其上,以及
其中,僅針對所述第一光電轉換器或僅針對所述第一光電轉換器和所述第二光電轉換器來提供所述多個反射部分和所述多個光吸收部分。
7.如權利要求1所述的傳感器,其中,根據光電轉換器在所述半導體層中的位置來確定與光電轉換器對應的反射部分和光吸收部分的形狀。
8.如權利要求1所述的傳感器,其中,所述多個光吸收部分中的每一個被布置為圍繞所述多個反射部分中的對應一個反射部分的反射區域。
9.一種制造固態圖像傳感器的方法,所述固態圖像傳感器包括具有第一面和第二面的半導體層以及被布置在第一面那一側的布線結構,
其中,多個光電轉換器被布置在所述半導體層中,
其中,來自物體的光入射在所述第二面上,
其中,所述布線結構包括:多個反射部分,其被布置用于所述多個光電轉換器中的至少一些,所述多個反射部分中的每一個都具有反射區域;多個光吸收部分,其中的每一個被布置在所述多個反射部分中的對應一個反射部分的反射區域周圍;絕緣體部分,其被布置為圍繞所述多個光吸收部分中的每一個;以及層間絕緣膜,其被布置在所述第一面與所述多個反射部分、所述多個光吸收部分和所述絕緣體部分的群組之間,以及
其中,所述多個光吸收部分中的每一個的反射率小于所述反射部分中的對應一個反射部分的反射區域的反射率,并且所述多個光吸收部分中的每一個的光透射率小于所述絕緣體部分的光透射率,并且
該方法包括以下步驟:
在所述半導體層的所述第一面上形成所述層間絕緣膜,
在所述層間絕緣膜上形成所述多個光吸收部分和所述多個反射部分,并且
形成所述絕緣體部分以圍繞所述多個光吸收部分中的每一個。
10.如權利要求9所述的方法,其中,
形成所述多個光吸收部分和所述多個反射部分的步驟包括以下步驟:
在所述層間絕緣膜上形成光吸收材料圖案,所述光吸收材料圖案包括所述多個光吸收部分的預期部分并且具有在所述反射區域的預期區域中的開孔,
形成反射材料膜以覆蓋所述層間絕緣膜和所述光吸收材料圖案,
通過蝕刻來對所述反射材料膜進行圖案化,以便形成所述多個反射部分,并且
蝕刻所述光吸收材料圖案的通過對所述反射材料膜進行蝕刻而暴露的一部分。
11.一種相機,包括:
根據權利要求1所述的固態圖像傳感器;以及
處理器,處理從所述固態圖像傳感器輸出的信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





