[發(fā)明專利]紅外非線性光學(xué)單晶體硫錫鋇有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310557862.X | 申請(qǐng)日: | 2013-11-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103590108B | 公開(公告)日: | 2018-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅中箴;林晨升;程文旦;張煒龍;張浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號(hào): | C30B29/46 | 分類號(hào): | C30B29/46;C30B1/10;G02F1/355 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 350002 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 紅外 非線性 光學(xué) 單晶體 硫錫鋇 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于紅外非線性光學(xué)材料及其制備。
背景技術(shù)
紅外及中遠(yuǎn)紅外非線性光學(xué)材料,在民用和軍事方面有潛在的廣泛用途,如激光器件、紅外波段激光倍頻、遠(yuǎn)程傳感、紅外激光制導(dǎo)、紅外激光雷達(dá)、光電對(duì)抗等。
目前,3~20μm固態(tài)中、遠(yuǎn)紅外波段激光的產(chǎn)生主要是基于非線性光學(xué)原理及紅外非線性光學(xué)晶體變頻技術(shù)。現(xiàn)成熟的紅外非線性光學(xué)晶體主要有ZnGeP2,AgGaS2,AgGaSe2等。這些晶體都已在民用高科技領(lǐng)域和軍事裝備中起到關(guān)鍵性的作用,但是目前的這些晶體在綜合性能上還不能達(dá)到人們理想的水平,隨著技術(shù)的不斷發(fā)展與進(jìn)步,對(duì)紅外非線性晶體的要求也在不斷提高,因此,對(duì)于新型紅外非線性晶體的探索,在民用高科技產(chǎn)業(yè)和提升軍事裝備都具有重要的戰(zhàn)略意義。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于制備硫錫鋇單晶。
本發(fā)明的目的之二在于制備硫錫鋇粉末。
本發(fā)明制備的硫錫鋇單晶體,其化學(xué)式為Ba8Sn4S15,分子量為2054.53,屬正交晶系,空間群Pca21,單胞參數(shù)為α=β=γ=90°,Z=8。該晶體結(jié)構(gòu)中,錫原子有兩種不同的化合價(jià)Sn2+和Sn4+。Sn2+以三角錐構(gòu)型存在,并且形成[SnS3]4-陰離子;Sn4+以[SnS4]4-陰離子構(gòu)型存在。在晶體結(jié)構(gòu)中,[SnS3]4-和[SnS4]4-陰離子處于孤立狀態(tài),Ba2+填充在多面體形成的空隙中,并維持電荷平衡,形成零維結(jié)構(gòu)。
硫錫鋇單晶體通過高溫固相方法合成,具體而言,以BaS,Sn與S為原料,按Ba:Sn:S元素摩爾比為8:4:15,置于石墨坩堝及石英管中,抽真空后封口,用五十小時(shí)使溫度達(dá)到800℃,并且在800℃恒溫六十小時(shí),然后以一定速率降至室溫,獲得塊狀紅色晶體。
粉末紅外倍頻實(shí)驗(yàn)表明,硫錫鋇(Ba8Sn4S15)具有優(yōu)良的紅外非線性光學(xué)性能,在2.05μm激光照射下,有很強(qiáng)的1.025μm倍頻光輸出,其粉末(粒度25-45μm)SHG強(qiáng)度約為相應(yīng)粒度AgGaS2的10倍。
硫錫鋇作為一種極性晶體,預(yù)期在激光器件、紅外通訊、紅外波段激光倍頻等高科技領(lǐng)域中,具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
附圖說明
圖1.硫錫鋇晶體的沿b軸方向的結(jié)構(gòu)圖;詳細(xì)結(jié)構(gòu)如上文描述。
圖2.硫錫鋇的純相粉末圖;實(shí)驗(yàn)值與理論值吻合較好,說明得到的粉末樣品為純相。
圖3.硫錫鋇SHG強(qiáng)度比較圖,在實(shí)驗(yàn)測(cè)定其粉末(粒度25-45μm)SHG強(qiáng)度約為相應(yīng)粒度AgGaS2的10倍。
圖4.硫錫鋇相位匹配圖;從圖中可以看出,硫錫鋇不是I類相位匹配的。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1硫錫鋇單晶體制備。
按Ba:Sn:S元素摩爾比為8:4:15,稱取Ba,Sn與S混合均勻,放入石墨坩堝,再裝入石英管中,抽真空后封口,置于高溫爐中于650℃反應(yīng)數(shù)小時(shí),再于800℃恒溫?cái)?shù)十小時(shí),最后緩慢降至室溫,獲得較多紅色塊狀晶體。通過單晶X射線衍射分析,表明該化合物為硫錫鋇,晶體參數(shù)如上所述,結(jié)構(gòu)如附圖1所示。
實(shí)施例2硫錫鋇多晶粉末制備
按Ba:Sn:S元素摩爾比為8:4:15,稱取Ba,Sn與S混合均勻,放入石墨坩堝,再裝入石英管中,抽真空后封口,置于高溫爐中于750℃恒溫?cái)?shù)十小時(shí),再緩慢降至室溫,獲得紅色多晶粉末。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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