[發明專利]電流模式DC/DC轉換器用低功耗電流檢測電路

有效

• 申請號: 201310557321.7
• 申請日: 2013-11-11
• 公開（公告）號: CN103604974A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 施朝霞;李如春
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00;G01R31/02
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 王兵;黃美娟

1.電流模式DC/DC轉換器用低功耗電流檢測電路，其特征在于：包括由電感L、PMOS晶體管P1、電阻R、電容C組成的電源支路和由電流源Ib、PNP晶體管B1、PNP晶體管B2、PNP晶體管B5、PNP晶體管B6、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N5、電阻Rsense組成的電流檢測支路，

所述的電容C和電阻R并聯，并聯后的一端接地，另一端與所述的PMOS管P1的源端相連，所述的PMOS管P1的漏端與所述的電感L的一端相連，所述的電感L的另一端與輸入Vin相連，所述PMOS管P1的漏端的輸出電流為I_L；

所述的電流源Ib的一端接地，另一端與所述的PNP晶體管B1的集電極相連，所述的PNP晶體管B1的基極與所述的PNP晶體管B2的基極相連，所述的PNP晶體管B1、B2的發射極并聯，且并聯后與所述的輸入Vin相連，所述的PNP晶體管B2的集電極與所述NMOS管N1的漏端相連，所述的NMOS管N1的源端與所述的NMOS管N2的漏端相連，所述的NMOS管N2的源端接地，所述的NMOS管N1、N2和N5的柵極相連，并與控制電壓V_Q相連，所述的NMOS管N5的源端接地，所述的NMOS管N5的漏端與所述的PNP晶體管B5的集電極相連，所述的PNP晶體管B5和B6的基極相連，所述的PNP晶體管B5和B6的發射極并聯，且并聯后與所述的輸入Vin相連，所述的PNP晶體管B6的集電極與所述的電阻Rsense的一端相連，所述的電阻Rsense的另一端接地，所述的電阻Rsense流過電流為Isense，所述的電阻Rsense未接地的一端的輸出電壓為Vsense。

2.如權利要求1所述的電流模式DC/DC轉換器用低功耗電流檢測電路，其特征在于：所述的電流檢測電路還包括電壓跟隨電路，所述的電壓跟隨電路包括PNP晶體管B3、PNP晶體管B4、NPN晶體管B7、NPN晶體管B8和NMOS管N3、NMOS管N4，所述的PNP晶體管B2、B3、B4的基極相連，所述的PNP晶體管B3、B4的發射極并聯，且并聯后與所述的輸入Vin相連；所述的NPN晶體管B7的基極與集電極相連，所述的NPN晶體管B7的集電極與所述的PNP晶體管B3的集電極相連，所述的NPN晶體管B7的發射極與所述的NMOS管N3的漏端相連；所述的NMOS管N3的漏端與所述的NMOS管N1的漏端相連，且端點電壓為V_A；所述的NMOS管N3的柵極與所述的NMOS管N4的柵極相連，并與控制電壓相連；所述的NMOS管N3、N4的源端并聯，且接地；所述的NMOS管N4的漏端與所述的NPN晶體管B8的發射極相連，所述的NPN晶體管B8的發射極與所述的NMOS管N5的漏端相連，且端點電壓為V_B；所述的NPN晶體管B8的基極與所述的NPN晶體管B7的基極相連，所述的NPN晶體管B8集電極分別與所述的PNP晶體管B5的基極、所述的PNP晶體管B4的集電極相連。

3.如權利要求1或2所述的電流模式DC/DC轉換器用低功耗電流檢測電路，其特征在于：所述的NMOS管N2是功率MOS管，所述的NMOS管N5是傳感MOS管，所述的NMOS管N2的寬長比是所述的NMOS管N5的500～2000倍。