[發明專利]顯示基板和含有該顯示基板的柔性顯示裝置有效
| 申請號: | 201310557272.7 | 申請日: | 2013-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN103545321A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 程鴻飛;張玉欣 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 含有 柔性 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板和含有該顯示基板的柔性顯示裝置
背景技術
柔性顯示裝置具有諸多優點,例如耐沖擊、抗震能力強、重量輕、體積小,攜帶更加方便等特點。目前主要的柔性顯示裝置大致可分為三種:電子紙(或柔性電泳顯示)、柔性有機發光二極管(OLED)和柔性液晶等。
柔性顯示裝置包括顯示基板,顯示基板包括柔性基板和位于柔性基板上的結構,其中柔性基板為聚酰亞胺(PI)基板,聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板等;柔性基板上的結構包括薄膜晶體管(TFT)。現有技術中的柔性顯示裝置的顯示基板通常要用到絕緣層,例如,柵極絕緣層、層間絕緣層、鈍化層。上述的絕緣層通常由SiNx或SiOx物質制作,導致上述的絕緣層韌性較差,柔性顯示裝置在彎曲時易造成絕緣層的斷裂,使柔性顯示裝置的顯示基板上的TFT容易發生損壞。例如,由于彎折時應力的聚集,可能導致TFT的斷裂,勢必會對TFT性能產生影響,從而影響柔性顯示裝置的可靠性,對顯示質量造成不良影響。
發明內容
本發明的目的是解決現有技術中顯示基板彎曲時薄膜晶體管發生損毀導致顯示基板可靠性差的問題,提供一種可靠性強的顯示基板。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種顯示基板,該顯示基板,包括:基板和設置在該基板上的薄膜晶體管,顯示基板還包括設置在所述的薄膜晶體管相鄰區域的應力吸收單元。
本發明提供的顯示基板,通過在顯示基板上引入由樹脂材料制備的應力吸收單元,使顯示基板在彎曲過程中產生的應力通過透明樹脂材料釋放掉,顯示基板上的薄膜晶體管不易發生損壞,從而增強了整個顯示基板的可靠性。
優選的是,所述的薄膜晶體管上方設置有與薄膜晶體管的漏極電性連接的陽極,所述的陽極上方依次設有發光層、陰極;所述的陽極、發光層、陰極重疊區域形成發光區域;所述的應力吸收單元位于所述的發光區域的對應下方。
優選的是,所述的基板上設置有多個絕緣層;所述的應力吸收單元部分取代位于所述的薄膜晶體管相鄰區域的絕緣層中的任意一層或多層。
優選的是,所述的應力吸收單元為多個。
優選的是,所述的多個絕緣層為在基板上依次設置的柵極絕緣層、層間絕緣層、第一鈍化層;所述的應力吸收單元部分取代位于所述的薄膜晶體管相鄰區域的的柵極絕緣層、層間絕緣層、第一鈍化層中的任意一層或多層。
進一步優選的是,所述的應力吸收單元部分取代位于所述的薄膜晶體管相鄰區域的柵極絕緣層、層間絕緣層、第一鈍化層。
優選的是,所述的應力吸收單元為多個。
優選的是,所述的應力吸收單元的材料為樹脂材料。
進一步優選的是,所述的樹脂材料為丙烯酸樹脂或聚酰亞胺樹脂。
本發明的另一個目的是提供一種柔性顯示裝置,所述的柔性顯示裝置包括上述的顯示基板。
上述的顯示基板具有較高的可靠性,從而增強了整個柔性顯示裝置的可靠性。
附圖說明
圖1為實施例1中應力吸收單元部分取代柵極絕緣層、層間絕緣層、第一鈍化層時顯示基板的截面示意圖。
圖2為實施例1中應力吸收單元部分取代柵極絕緣層、第一鈍化層時顯示基板的截面示意圖。
圖3為實施例1中應力吸收單元在平行于基板方向上間隔設置、部分取代柵極絕緣層、層間絕緣層、第一鈍化層時顯示基板的截面示意圖。
其中:
1.基板;2.柵極絕緣層;3.層間絕緣層;4.第一鈍化層;5.柵極;6.漏極;7.有源層;8.源極;9.應力吸收單元;10.陽極;11.發光層;12.陰極;13.第二鈍化層;14.薄膜層;15.像素界定層;16.發光區域。
具體實施方式
為使本領域技術人員更好地理解本發明的技術方案,下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細描述。
實施例1
如圖1-3所示,本實施例提供一種顯示基板,包括:基板1和設置在該基板1上的薄膜晶體管(TFT),在所述的薄膜晶體管的相鄰區域設置的應力吸收單元9。所述的相鄰區域指TFT所在的像素區域。
所述的應力吸收單元9采用樹脂材料制造,所述的樹脂材料為丙烯酸樹脂,也可以聚酰亞胺樹脂等其它具有彈性形變能力的樹脂。當基板1發生彎折時,應力吸收單元9發生彈性形變吸收基板1發生變形的聚集的應力,從而保護TFT等類似的薄膜晶體管發生損壞,保證了器件的可靠性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





