[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310557149.5 | 申請日: | 2013-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN103545345A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孔祥永;王東方 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,包括相互對盒的第一基板和第二基板,其特征在于,
所述第二基板上設置有有機電致發(fā)光器件,所述有機電致發(fā)光器件的陽極層遠離第一基板,陰極層靠近第一基板;
所述有機電致發(fā)光器件的陰極層,通過多個間隔排列的導電隔墊物與設置在第一基板入光面上的輔助電極電連接,所述陰極層為透明電極層。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述輔助電極的電阻比有機電致發(fā)光器的陰極層的電阻低。
3.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述導電隔墊物的材料為聚乙炔、聚對苯撐乙炔、聚噻吩、聚對苯撐、聚吡咯、聚苯胺、3,4-乙撐二氧噻吩單體的聚合物中任意一種或其組合。
4.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述導電隔墊物包括互相連接的第一導電隔墊物和第二導電隔墊物,且第一導電隔墊物與第二導電隔墊物相接觸面的表面積小于第二導電隔墊物與第一導電隔墊物相接觸面的表面積。
5.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述輔助電極為透明導電的片狀輔助電極。
6.根據(jù)權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述片狀輔助電極的材料為氧化銦錫、氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅中任意一種。
7.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述輔助電極為網(wǎng)格狀輔助電極,且設置于非顯示區(qū)。
8.根據(jù)權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述網(wǎng)格狀輔助電極的材料為鋁、鉬、銅、銀、鉻、金中的任意一種或其組合。
9.根據(jù)權利要求1中所述的顯示面板,其特征在于,在所述有機電致發(fā)光器件的陽極層下方設置有反射層,所述反射層用于將有機電致發(fā)光器件發(fā)出的光反射后射向有機電致發(fā)光器件的陰極層。
10.根據(jù)權利要求1~9中任意一種所述的顯示面板,其特征在于,所述有機電致發(fā)光器件為發(fā)射白光的有機電致發(fā)光器件。
11.根據(jù)權利要求10所述的顯示面板,其特征在于,所述第一基板上間隔設置有紅色濾光圖形、綠色濾光圖形、藍色濾光圖形。
12.根據(jù)權利要求1~9中任意一種所述的顯示面板,其特征在于,所述有機電致發(fā)光器件為發(fā)射紅光、綠光、藍光的有機電致發(fā)光器件。
13.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
在第一基板的入光面上,通過構圖工藝形成包括輔助電極的圖形;
在輔助電極上,通過構圖工藝形成包括導電隔墊物的圖形;
將第二基板與第一基板對盒,使得輔助電極通過導電隔墊物與有機電致發(fā)光器件的陰極層電連接,所述陰極層為透明電極層。
14.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
在第一基板的入光面上,通過構圖工藝形成包括輔助電極的圖形,并在第二基板陰極層上,通過構圖工藝在與輔助電極對應的位置形成包括導電隔墊物的圖形;
將第二基板與第一基板對盒,使得輔助電極通過導電隔墊物與有機電致發(fā)光器件的陰極層電連接,所述陰極層為透明電極層。
15.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
在第一基板的入光面上,通過構圖工藝形成包括輔助電極的圖形,并在輔助電極上,通過構圖工藝形成包括第一導電隔墊物的圖形,在第二基板的陰極層與第一導電隔墊物相對應的地方形成包括第二導電隔墊物的圖形;
將第二基板與第一基板對盒,使得輔助電極通過第一導電隔墊物和第二導電隔墊物與有機電致發(fā)光器件的陰極層電連接,所述陰極層為透明電極層。
16.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1~12中任意一種所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





