[發(fā)明專利]一種芯片測試模式和調(diào)試模式的保護(hù)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310556954.6
• 申請日: 2013-11-11
• 公開（公告）號: CN103593626B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李兆亮;錢志恒;徐功益
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州晟元數(shù)據(jù)安全技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: G06F21/70
• 分類號: G06F21/70;G06F21/78
• 代理公司: 杭州千克知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司33246
• 代理人: 趙芳

1.一種芯片測試模式和調(diào)試模式的保護(hù)方法，其特征在于：該方法包括如下步驟：

（1）、芯片上電復(fù)位后進(jìn)行第一級復(fù)位，上電控制邏輯（8）會從非易失存儲體（7）的兩個固定的地址讀取兩個32位數(shù)據(jù)a和b，然后分別將數(shù)據(jù)a交給測試模式控制單元（1），數(shù)據(jù)b交給調(diào)試模式控制單元（2）；測試模式控制單元（1）在收到數(shù)據(jù)a后與內(nèi)部一個固定的32位數(shù)據(jù)比較，如果不相同，再檢測芯片外部管腳（4）的測試使能管腳如果是高電平，那么對一個寄存器test_en_reg置高電平；數(shù)據(jù)a如果和內(nèi)部固定的32位數(shù)據(jù)相同，不管芯片外部管腳（4）的測試使能管腳是否高電平，都無法進(jìn)入測試模式；在芯片生產(chǎn)測試完成后，對非易失存儲體（7）相應(yīng)的地址寫入特定值，就能夠永久關(guān)閉芯片測試模式；

（2）、調(diào)試模式控制單元（2）在收到數(shù)據(jù)b后與內(nèi)部一個固定的32位數(shù)據(jù)比較，如果相同，那么對一個寄存器jtag_lock_reg置高電平，則芯片就無法進(jìn)入調(diào)試模式；用戶利用調(diào)試口開發(fā)完應(yīng)用軟件后，在非易失存儲體（7）相應(yīng)的地址寫入特定值，就能夠永久關(guān)閉調(diào)試模式；

（3）、芯片二級復(fù)位釋放后，芯片正常功能單元（6）首先檢測在測試模式控制單元（1）的判斷結(jié)果寄存器test_en_reg，如果為1，就直接進(jìn)入測試模式，如果是0，進(jìn)入正常工作，同時檢測在調(diào)試模式控制單元（2）的判斷結(jié)果寄存器jtag_lock_reg，如果是1，就關(guān)閉調(diào)試模式；

（4）、芯片通過存儲體保護(hù)單元（9）對非易失存儲體（7）寫相應(yīng)的值進(jìn)行測試模式或則調(diào)試模式保護(hù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測試模式和調(diào)試模式的保護(hù)方法，其特征在于：芯片外部管腳（4）能夠與芯片其他功能管腳復(fù)用，這個測試使能管腳只需在第一級復(fù)位和第二級復(fù)位之間拉高即可，在調(diào)試模式控制單元（2）判斷完成就可以釋放。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測試模式和調(diào)試模式的保護(hù)方法，其特征在于：芯片內(nèi)嵌的非易失存儲體（7）是flash存儲體，該存儲體保存數(shù)據(jù)a和數(shù)據(jù)b的這兩個地址空間采取的數(shù)據(jù)保護(hù)機制是一次性寫入保護(hù)功能，一次性寫入保護(hù)功能由存儲體保護(hù)單元（9）來實現(xiàn)；生產(chǎn)完初始值為全1，芯片上電后存儲體保護(hù)單元（9）檢測到這兩個地址的數(shù)據(jù)如果不是全1，說明已經(jīng)被寫過了，就關(guān)閉對這兩個地址的寫權(quán)限。