[發明專利]一種低溫下化合物半導體與硅基半導體進行鍵合的方法有效
| 申請號： | 201310556902.9 | 申請日： | 2013-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN103560096A | 公開（公告）日： | 2014-02-05 |
| 發明（設計）人： | 王子昊;曹亮;崔德國;談捷;劉城 | 申請（專利權）人： | 蘇州矩陣光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀麗 |
| 地址： | 215614 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 化合物 半導體 進行 方法 | ||
1.一種低溫下化合物半導體和硅基半導體進行鍵合的方法，其包括如下步驟：
（1）對硅基半導體進行清洗，之后在其表面鍍鈀；
（2）對化合物半導體進行清洗，之后與步驟（1）中所述鍍鈀的硅基半導體相對，保持鈀層位于兩種半導體之間作為中間介質鍵合層，之后將兩種半導體進行熱壓鍵合。
2.根據權利要求1所述的低溫下化合物半導體和硅基半導體進行鍵合的方法，其特征在于，所述化合物半導體為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。
3.根據權利要求2所述的低溫下化合物半導體和硅基半導體進行鍵合的方法，其特征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體為砷化鎵和/或磷化銦。
4.根據權利要求1-3任一所述的低溫下化合物半導體和硅基半導體進行鍵合的方法，其特征在于，所述步驟（1）中，對所述硅基半導體進行RCA清洗。
5.根據權利要求1-4任一所述的低溫下化合物半導體和硅基半導體進行鍵合的方法，其特征在于，在所述步驟（2）中，對所述化合物半導體進行如下清洗：將所述化合物半導體浸入質量濃度37%的鹽酸和去離子水以體積比1:10組成的混合溶液中，之后再依次在丙酮、異丙醇、甲醇、去離子水中進行各1分鐘的超聲波清洗。
6.根據權利要求1-5任一所述的低溫下化合物半導體和硅基半導體進行鍵合的方法，其特征在于，步驟（2）中，所述熱壓鍵合的溫度程序設置為：首先以5℃·min-1的升溫速率將溫度從50升至200-300℃，恒溫60min，之后將溫度降至50℃并保持30min。
7.根據權利要求1-6任一所述的低溫下化合物半導體和硅基半導體進行鍵合的方法，其特征在于，所述步驟（2）中，在對化合物半導體進行清洗后，在其表面鍍鈀，之后與步驟（1）中所述鍍鈀的硅基半導體相對，保持兩個鈀層位于兩種半導體之間作為中間介質鍵合層，之后將兩種半導體進行熱壓鍵合。
8.根據權利要求1-7任一所述的低溫下化合物半導體和硅基半導體進行鍵合的方法，其特征在于，所述鈀層的厚度為250nm-500nm。
9.根據權利要求1-8任一所述的低溫下化合物半導體和硅基半導體進行鍵合的方法，其特征在于，所述熱壓鍵合在潔凈度不低于1000的無塵室中進行。
10.根據權利要求1-9任一所述的低溫下化合物半導體和硅基半導體進行鍵合的方法，其特征在于，所述熱壓鍵合的壓力為2000-5000mbar。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
