[發明專利]輸入接口電路

在審

• 申請號: 201310556588.4
• 申請日: 2013-11-11
• 公開（公告）號: CN104639145A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 范志祥;舒海軍
• 申請（專利權）人: 上海華虹集成電路有限責任公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175;H03K19/0185
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種輸入接口電路，其特征在于，包括：

一ESD保護電路，由主ESD保護電路和次ESD保護電路組成，防止外部靜電放電對芯片造成的損壞；

一整形電路，由施密特電路和緩沖器構成，與所述ESD保護電路相連接，其施密特電路的供電電源由輸入PAD提供，用于對輸入信號進行整形；

一阱電阻電路，與所述整形電路相連接，用于防止攻擊者向芯片內部加入信號；

一內部保護電路，與所述阱電阻電路相連接，用于防止劃片時產生的電壓對芯片內部電路的損傷，且在電阻被切斷時使輸入接口電路的輸出端輸出固定的低電平；

一緩沖電路，與所述內部保護電路相連接，用于加強輸入接口驅動能力，從而驅動后級電路工作。

2.如權利要求1所述的輸入接口電路，其特征在于：所述ESD保護電路，由第十一NMOS晶體管（M11）和第十二NMOS晶體管（M12），第十一電阻（R11）和第十二（R12）構成；其中，第十一NMOS晶體管（M11）和第十一電阻（R11）是主ESD保護電路，采用柵耦合結構；第十二電阻（R12）是ESD限流電阻，第十二NMOS晶體管（M12）是次ESD保護電路，保護后級施密特電路的柵極；

第十一NMOS晶體管（M11）的漏極與第十二電阻（R12）的一端相連接，并作為PAD的輸入端，第十一NMOS晶體管（M11）的柵極與第十一電阻（R11）的一端相連接，第十一電阻（R11）的另一端與第十一NMOS晶體管（M11）的源極和襯底接地；

第十二電阻（R12）的另一端與第十二NMOS晶體管（M12）的漏極相連接，其連接的節點記為net1，其作為施密特電路的供電電源輸入端；

第十二NMOS晶體管（M12）的柵極、源極和襯底接地。

3.如權利要求1所述的輸入接口電路，其特征在于：

所述施密特電路由第三十一PMOS晶體管～第三十三PMOS晶體管（M31～M33），第三十四NMOS晶體管～第三十六NMOS晶體管（M34～M36）組成；第三十一PMOS晶體管（M31）的漏極與供電電源（VCC1）端相連接；第三十一PMOS晶體管（M31）的源極與第三十二PMOS晶體管（M32）的漏極和第三十三PMOS晶體管（M33）的漏極相連接；第三十一PMOS晶體管～第三十三PMOS晶體管（M31～M33）的襯底與供電電源（VCC1）端相連接；

第三十二PMOS晶體管（M32）的源極與第三十三PMOS晶體管（M33）的柵極、第三十四NMOS晶體管（M34）的源極和第三十六NMOS晶體管（M36）的柵極相連接，其連接的節點作為施密特電路的輸出端OUT1；第三十四NMOS晶體管（M34）的漏極與第三十五NMOS晶體管（M35）的源極和第三十六NMOS晶體管（M36）的漏極相連接；第三十六NMOS晶體管（M36）的源極與供電電源（VCC1）端相連接；

第三十四NMOS晶體管～第三十六NMOS晶體管（M34～M36）的襯底、第三十三PMOS晶體管（M33）的漏極和NMOS晶體管M35的源極接地VSS。

PMOS晶體管M31的柵極、PMOS晶體管M32的柵極、NMOS晶體管M34的柵極和第三十五NMOS晶體管（M35）的柵極相連接，其連接的節點記為A；

所述緩沖器由第十三PMOS晶體管（M13）和第十四NMOS晶體管（M14）組成，第十三PMOS晶體管（M13）和第十四NMOS晶體管（M14）的柵極與施密特電路的輸出端（OUT1）相連接，其連接的節點記為net2；第十三PMOS晶體管（M13）的漏極和襯底與施密特電路供電電源（VCC1）端相連接；第十三PMOS晶體管（M13）的漏極與第十四NMOS晶體管（M14）的漏極相連接，其連接的節點記為net3并作為緩沖器的輸出端；第十四NMOS晶體管（M14）的源極和襯底接地VSS。

4.如權利要求1所述的輸入接口電路，其特征在于：所述阱電阻電路由阱電阻（R13）組成，其一端與所述緩沖器的輸出端相連接，另一端記為net4端。

5.如權利要求4所述的輸入接口電路，其特征在于：所述阱電阻（R13）放置在芯片內部，或者放置在劃片槽內。

6.如權利要求1所述的輸入接口電路，其特征在于：所述內部保護電路由第十五NMOS晶體管（M15）和第十六NMOS晶體管（M16）組成；第十五NMOS晶體管（M15）的漏極與所述阱電阻電路的輸出端相連接，第十五NMOS晶體管（M15）的柵極、源極和襯底接地VSS；第十六NMOS晶體管（M16）的漏極與所述阱電阻電路的輸出端相連接，第十五NMOS晶體管（M15）的源極和襯底接地VSS；第十六NMOS晶體管（M16）的柵極與電源電壓VDD端相連接。