[發明專利]一種納米壓印方法無效
| 申請號： | 201310555036.1 | 申請日： | 2013-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN103543604A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發明（設計）人： | 王晶 | 申請（專利權）人： | 無錫英普林納米科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 成立珍 |
| 地址： | 214192 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 壓印 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種納米壓印方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）在模板上旋涂一層光刻膠，利用電子束光刻在光刻膠上形成圖形并轉移到模板上；
（2）將基底放入1：1：4的NH4OH:H2O2:H2O溶液中清洗10分鐘，取出基底在去離子水中沖洗10分鐘，置于HF:H2O=1:40的溶液中漂洗30秒，用氮氣吹干；
（3）采用勻膠機旋涂光刻膠并進行前烘，前烘條件為烘箱內100℃烘40～60分鐘；
（4）將裝有模板和基底的壓印機放入烘箱內加熱，150℃～200℃烘10分鐘，取出后冷卻至室溫，取出模板和基底；
（5）放入納米壓印機中，當模板和基底光學對準后，用紫外光透過模板照射壓印區域，2分鐘后，移去模板；
（6）采用反應離子刻蝕殘留層和進行圖案轉移。
2.根據權利要求1所述的納米壓印方法，其特征在于：所述的模板為SiNx。
3.根據權利要求1所述的納米壓印方法，其特征在于：所述的光刻膠為NEB-22。
4.根據權利要求1所述的納米壓印方法，其特征在于：所述的步驟（3）旋涂時勻膠機轉速設為2500～3000轉，旋轉時間為1～1.5分鐘。
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