[發(fā)明專利]用于高背景場(chǎng)的低溫和高溫超導(dǎo)混合磁體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310554826.8
• 申請(qǐng)日: 2013-11-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103617859A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋云濤;鄭金星;黃雄一;劉旭峰;武松濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院等離子體物理研究所
• 主分類號(hào): H01F6/00
• 分類號(hào): H01F6/00;H01F6/04;H01F41/02
• 代理公司: 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.用于高背景場(chǎng)的低溫和高溫超導(dǎo)混合磁體，其特征在于：包括有內(nèi)部高溫超導(dǎo)磁體組件、外部低溫超導(dǎo)組件，所述的內(nèi)部高溫超導(dǎo)組件包括有對(duì)地絕緣殼體，對(duì)地絕緣殼體中設(shè)有多組獨(dú)立單元結(jié)構(gòu)，每組獨(dú)立單元結(jié)構(gòu)包括有基體結(jié)構(gòu)一，基體結(jié)構(gòu)一中部插入帶有冷卻槽的冷卻板，基體結(jié)構(gòu)一上位于冷卻板的兩側(cè)分別鑲嵌有一組高溫超導(dǎo)導(dǎo)體，冷卻板緊貼高溫超導(dǎo)導(dǎo)體并為高溫超導(dǎo)導(dǎo)體熱傳導(dǎo)散熱，對(duì)地絕緣殼體的側(cè)壁上設(shè)有若干與各冷卻池連通的低溫冷卻氣體進(jìn)氣口；所述的外部低溫超導(dǎo)組件包括有基體結(jié)構(gòu)二，基體結(jié)構(gòu)二上鑲嵌有多組低溫超導(dǎo)導(dǎo)體，低溫超導(dǎo)導(dǎo)體上設(shè)有中心氦氣冷卻孔，各組低溫超導(dǎo)導(dǎo)體間設(shè)有層間絕緣體；

所述的內(nèi)部高溫超導(dǎo)磁體組件和外部低溫超導(dǎo)組件分別獨(dú)立加工成型后再嵌套焊接成為一個(gè)整體結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高背景場(chǎng)的低溫和高溫超導(dǎo)混合磁體，其特征在于：所述的基體結(jié)構(gòu)一采用G10材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高背景場(chǎng)的低溫和高溫超導(dǎo)混合磁體，其特征在于：所述的基體結(jié)構(gòu)一的兩側(cè)設(shè)有螺栓孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的用于高背景場(chǎng)的低溫和高溫超導(dǎo)混合磁體，其特征在于：所述的各組高溫超導(dǎo)導(dǎo)體和冷卻板獨(dú)立加工成獨(dú)立單元結(jié)構(gòu)后，各獨(dú)立單元結(jié)構(gòu)通過(guò)兩側(cè)多組貫穿螺栓孔的螺栓裝配成型。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高背景場(chǎng)的低溫和高溫超導(dǎo)混合磁體，其特征在于：所述的基體結(jié)構(gòu)二采用不銹鋼。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高背景場(chǎng)的低溫和高溫超導(dǎo)混合磁體，其特征在于：所述的低溫超導(dǎo)導(dǎo)體采用傳統(tǒng)的CICC導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，根據(jù)實(shí)際運(yùn)行時(shí)低溫超導(dǎo)導(dǎo)體部分的最大磁場(chǎng)強(qiáng)度選擇使用NbTi或者Nb₃Sn。