[發明專利]一種改善光刻膠形貌的方法有效
| 申請號： | 201310554269.X | 申請日： | 2013-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN103645609A | 公開（公告）日： | 2014-03-19 |
| 發明（設計）人： | 付瑞鵬;王劍;戴韞青 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 光刻 形貌 方法 | ||
1.一種改善光刻膠形貌的方法，應用于光刻工藝中，其特征在于，包括以下步驟：
選取一次已知參考曝光的曝光參數，所述曝光參數包括曝光能量及曝光焦距；
進行多次曝光工藝，在進行每次所述曝光工藝時，根據所述曝光參數來控制進行多次曝光中每次曝光的能量和焦距。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進行多次曝光工藝時，每次曝光時采用的能量需滿足以下條件：
E=E1+E2+E3+...+En；
其中，E為所述參考曝光的能量，E1為第一次曝光的能量，E2為第二次曝光的能量，E3為第三次曝光的能量...En為第n次曝光的能量，n為曝光次數；
E1：E2：E3：...：En的比值根據工藝需求而設定。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進行多次曝光工藝時，每次曝光時采用的焦距需滿足以下條件：
F=（F1+F2+F3+...+Fn）/n；
其中，F為所述參考曝光的焦距，F1為第一次曝光的焦距，F2為第二次曝光時的焦距，F3為第三次曝光時的焦距，Fn為第n次曝光的曝光率；n為曝光次數。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述參考曝光的曝光參數為獲得最佳曝光效果的一次曝光的曝光參數。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進行所述每次曝光工藝的曝光能量逐漸遞減，且每次曝光工藝的曝光焦距逐漸遞增。
6.如權利要求1-5任意一項所述的方法，其特征在于，所述曝光工藝應用于超大高寬比圖形的制備工藝中。
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