[發明專利]工件加工裝置有效
| 申請號: | 201310553944.7 | 申請日: | 2013-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN104637857B | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發明(設計)人: | 王堅;賈照偉;張懷東;王暉 | 申請(專利權)人: | 盛美半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 施浩 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工件 加工 裝置 | ||
本發明揭示了一種工件加工裝置,包括:工藝腔體及工件承載機構,其中,工件承載機構包括支撐軸、大卡盤、若干小卡盤、托板、一組支柱、第一驅動裝置以及第三驅動裝置。大卡盤收容于工藝腔體,其底部及側墻圍成容納空間。若干小卡盤收容于大卡盤的容納空間,每一小卡盤具有卡盤主體,其頂部向下開設有收容腔以收容工件。通過配置若干小卡盤,當需要同時處理具有相同或不同尺寸及形狀的工件時,只需選擇具有相應尺寸及形狀的收容腔的小卡盤,并將小卡盤安放在大卡盤的容納空間,而不需要更換整個大卡盤,因此,本發明工件加工裝置使用上更便捷靈活,結構簡單,能同時處理多片工件,提高了工件加工效率,降低了工件加工成本。
技術領域
本發明涉及工件加工裝置,尤其涉及一種能同時處理多片工件的工件加工裝置。
背景技術
隨著半導體行業競爭日趨激烈,在半導體工藝加工過程中,除了對工藝加工質量有嚴格要求外,各廠家也在不斷尋求提高工藝加工效率及降低工藝加工成本的新途徑,這種新途徑包括改進加工裝置和/或改進工藝流程。
例如中國專利申請CN200810126565.9公開了一種可以批量加工多個基片的裝置,該裝置包括室體、三個或多個支撐柱和從該三個或多個支撐柱延伸的多個支撐齒,相鄰支撐齒間形成槽縫以支撐基片。加工基片時,將多個基片放置在室體內,并以基本平行的方式排列該多個基片。該裝置相較于一次只能加工一片工件的裝置,雖然提高了工件加工效率,但是采用這種層疊式加工裝置加工多個基片時,氣體從裝置的側面供應并流過基片,導致基片表面處理均勻性難以控制,此外,上層基片表面附著的副產物或污染物容易影響下層基片的處理或掉落至下層基片上。
為了解決上述裝置存在的技術問題,中國專利申請CN201010180970.6揭露了一種機臺,該機臺包括反應腔體、旋轉座、晶片承載盤、加熱器及噴氣頭。反應腔體具有開口。旋轉座設于反應腔體中。晶片承載盤設于旋轉座上,且旋轉座可帶動晶片承載盤旋轉。晶片承載盤包含至少二不同直徑的多個承載區,設于晶片承載盤的表面上,這些承載區適用以對應裝載多個晶片。加熱器設于晶片承載盤的下方,且位于旋轉座內。噴氣頭覆蓋在反應腔體的開口上,以朝晶片承載盤的表面上施放反應氣體。該機臺雖有效利用了晶片承載盤的使用空間,以達到提高產能、降低成本的目的,然而當需要加工不同尺寸晶片時,需對應更換整個晶片承載盤,因此,該機臺在實際使用過程中,不夠便捷、靈活。
發明內容
本發明的目的是提供一種使用便捷、靈活,且結構簡單,能夠同時處理多片工件的工件加工裝置。
為實現上述目的,本發明提出的工件加工裝置,包括:工藝腔體及工件承載機構,所述工件承載機構包括:
支撐軸,所述支撐軸貫穿工藝腔體的底壁,支撐軸的一端位于工藝腔體內,支撐軸的另一端位于工藝腔體的底壁的下方;
大卡盤,所述大卡盤固定設置在支撐軸的一端,大卡盤由支撐軸支撐,大卡盤收容于工藝腔體,大卡盤具有底部及沿底部向上凸起形成的側墻,大卡盤的底部及側墻圍成容納空間,大卡盤的底部開設有若干組貫穿大卡盤底部的通孔;
若干小卡盤,所述若干小卡盤收容于大卡盤的容納空間,每一小卡盤對應放置于大卡盤的一組通孔上方,每一小卡盤具有卡盤主體,卡盤主體的頂部向下開設有收容腔以收容工件,小卡盤的卡盤主體開設有一組穿孔,該組穿孔分別與小卡盤的收容腔及大卡盤相對應的一組通孔連通;
托板,所述托板平行設置于工藝腔體的底壁下方,托板與工藝腔體的底壁密封連接;
一組支柱,該組支柱能收容于大卡盤的一組通孔及與該組通孔相對應的小卡盤的穿孔中,各支柱的底端分別穿過工藝腔體的底壁并與托板固定連接;
第一驅動裝置,所述第一驅動裝置與支撐軸位于工藝腔體的底壁下方的一端連接,第一驅動裝置驅動支撐軸旋轉,從而帶動大卡盤旋轉;及
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





