[發明專利]處理多晶硅還原尾氣的方法和系統

有效

• 申請號: 201310553735.2
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN103539069A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 司文學;嚴大洲;肖榮暉;湯傳斌;楊永亮
• 申請（專利權）人: 中國恩菲工程技術有限公司
• 主分類號: C01B3/50
• 分類號: C01B3/50;C01B33/107;C01B33/12
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種處理多晶硅還原尾氣的方法，其特征在于，包括：

將所述多晶硅還原尾氣進行除塵處理，以便得到經過除塵的還原尾氣；

將所述經過除塵的還原尾氣進行冷凝處理，以便得到第一氯硅烷和經過冷凝處理的還原尾氣；

將所述經過冷凝處理的還原尾氣進行第一加壓冷卻處理，以便得到第二氯硅烷和經過第一加壓冷卻處理的還原尾氣；

將所述經過第一加壓冷卻處理的還原尾氣進行吸附處理，以便得到氫氣和含有氯硅烷和氯化氫的吸附劑；

將所述含有氯硅烷和氯化氫的吸附劑進行脫吸處理，以便得到包含氯硅烷和氯化氫的混合氣體；

將所述包含氯硅烷和氯化氫的混合氣體進行第二加壓冷卻處理，以便得到第三氯硅烷和包含氯化氫的不凝氣。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述經過冷凝處理的還原尾氣的溫度為30～40攝氏度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述經過第一加壓冷卻處理的還原尾氣的壓力為0.9～1.2Mpa，溫度為30～40攝氏度。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述吸附處理是在0.9～1.2Mpa的壓力下進行的，所述脫吸處理是在-0.09～-0.07MPa的壓力下進行的。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述包含氯硅烷和氯化氫的混合氣體的壓力為0.01～0.03Mpa。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述不凝氣的壓力為0.3～0.5Mpa，溫度為-40～-20攝氏度。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

對所述第一氯硅烷、所述第二氯硅烷、所述第三氯硅烷進行提純處理。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括，將所述包含氯化氫的不凝氣用于制備白炭黑。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述除塵處理是在0.4～0.6MPa的壓力下進行的。

10.一種處理多晶硅還原尾氣的系統，其特征在于，包括：

除塵裝置，所述除塵裝置用于將多晶硅還原尾氣進行除塵處理，以便得到經過除塵的還原尾氣；

冷凝裝置，所述冷凝裝置與所述除塵裝置相連，用于將所述經過除塵的還原尾氣進行冷凝處理，以便得到第一氯硅烷和經過冷凝處理的還原尾氣；

第一加壓冷卻裝置，所述第一加壓冷卻裝置與所述冷凝裝置相連，用于將所述經過冷凝處理的還原尾氣進行第一加壓冷卻處理，以便得到第二氯硅烷和經過第一加壓冷卻處理的還原尾氣；

吸附-脫吸裝置，所述吸附-脫吸裝置與第一加壓冷卻裝置相連，用于將所述經過第一加壓冷卻處理的還原尾氣進行吸附處理和脫吸處理，以便得到氫氣和包含氯硅烷和氯化氫的混合氣體；

第二加壓冷卻裝置，所述第二加壓冷卻裝置與所述吸附-脫吸裝置相連，用于將所述包含氯硅烷和氯化氫的混合氣體進行第二加壓冷卻處理，以便得到第三氯硅烷和包含氯化氫的不凝氣。

11.根據權利要求10所述的系統，其特征在于，進一步包括，

提純裝置，所述提純裝置與所述冷凝裝置、第一加壓冷卻裝置、第二加壓冷卻裝置相連，用于對所述第一氯硅烷、所述第二氯硅烷、所述第三氯硅烷進行提純處理。

12.根據權利要求10所述的系統，其特征在于，還包括，

白炭黑合成裝置，所述白炭黑合成裝置與所述第二加壓冷卻裝置相連，用于將所述包含氯化氫的不凝氣制備白炭黑。