[發明專利]有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201310552954.9 | 申請日: | 2013-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN103915470A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 宋基旭;韓敞旭;崔晎碩;皮性勛;徐正大;吳錫俊;甘潤錫 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種有機發光顯示裝置,并且更具體地涉及一種有機發光顯示裝置,其通過利用空穴傳輸材料摻雜P型電荷生成層來減少驅動電壓并且增加壽命。
背景技術
對于作為先進的信息和通信中的核心技術的在屏幕上顯示各種信息的圖像顯示裝置來說,持續地開發了具有改進的性能的輕薄的便攜裝置。目前,通過調整從有機發光顯示層發射的光的量來顯示圖像的有機發光顯示裝置近來作為重量更輕并且體積更?。帢O射線管(CRT)具有的缺點)的平板顯示裝置而受到關注。有機發光顯示裝置被視為最有競爭力的產品,這是因為它們不需要單獨的光源并且實現了緊湊的裝置設計和生動的顏色再現。
在該方面,作為通過將薄的發光層置于電極之間而制造的自發光裝置的有機發光裝置(OLED)可以具有紙狀薄的分層結構。特別地,有機發光裝置包括陽極、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)和陰極。
如上所述,在有機發光顯示裝置中使用的有機發光裝置通常具有單堆疊結構。然而,多堆疊結構的應用持續地增加。
具有多堆疊結構的有機發光裝置包括陽極、陰極和順序地堆疊在陽極與陰極之間的第一堆疊、電荷生成層和第二堆疊。
這里,第一堆疊包括布置在陽極上的空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層,并且第二堆疊包括空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層。
電荷生成層布置在第一堆疊與第二堆疊之間以控制其間的電荷平衡并且包括N型電荷生成層和P型電荷生成層。
這里,P型電荷生成層生成空穴和電子,將電子注入到N型電荷生成層,并且將空穴注入到第二堆疊的空穴傳輸層。當前,P型電荷生成層由HAT(CN)6單獨形成。然而,由于HAT(CN)6具有低效的空穴生成和空穴注入,因此包括其的有機發光顯示裝置會具有增加的驅動電壓和減少的壽命。
本申請要求2012年12月31日提交的韓國專利申請No.10-2012-0158195和2013年5月31日提交的韓國專利申請No.10-2013-0062631的優先權,通過引用將其并入這里,如在此完全闡述一樣。
發明內容
因此,本發明涉及一種有機發光顯示裝置,其基本上避免了由于現有技術的限制和缺點導致的一個或多個問題。
本發明的目的在于提供一種有機發光顯示裝置,其通過將空穴傳輸材料摻雜在P型電荷生成層中而具有減小的驅動電壓和增加的壽命。
在隨后的描述中將會部分地闡述本發明的額外的優點、目的和特征,并且部分優點、目的和特征對于已經研究過下面所述的本領域技術人員來說將是顯而易見的,或者部分優點、目的和特征將通過本發明的實踐來知曉。通過在給出的描述及其權利要求以及附圖中特別地指出的結構可以實現并且獲得本發明的目的和其它的優點。
為了實現這些和其它優點并且根據本發明的目的,如在此具體化并且廣泛描述的,一種有機發光顯示裝置包括彼此相對地布置在基板上的第一電極和第二電極、包括順序地堆疊在第一電極上的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發光層和第一電子傳輸層的第一堆疊、包括順序地堆疊在第一堆疊與第二電極之間的第二空穴傳輸層、第二發光層和第二電子傳輸層的第二堆疊以及布置在第一堆疊與第二堆疊之間并且包括N型電荷生成層和P型電荷生成層以控制第一堆疊與第二堆疊之間的電荷平衡的電荷生成層。P型電荷生成層摻雜有空穴傳輸材料,其量為P型電荷生成層的體積的1%至20%。
這里,摻雜在P型電荷生成層中的空穴傳輸材料可以具有5.0×10-5Vs/cm2至1.0×10-2Vs/cm2的遷移率。
摻雜在P型電荷生成層中的空穴傳輸材料可以具有5.0eV至6.0eV的最高占據分子軌道(HOMO)能級。
摻雜在P型電荷生成層中的空穴傳輸材料可以具有2.0eV至3.5eV的最低未占據分子軌道(LUMO)能級。
摻雜在P型電荷生成層中的空穴傳輸材料可以具有9.0×10-3Vs/cm2的遷移率、2.1eV的LUMO能級和5.2eV的HOMO能級。
摻雜在P型電荷生成層中的空穴傳輸材料可以具有1.0×10-4Vs/cm2的遷移率、2.2eV的LUMO能級和5.5eV的HOMO能級。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





