[發(fā)明專(zhuān)利]刻蝕劑組合物、陣列基板以及制造陣列基板的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310552933.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103806000A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔容碩;權(quán)五柄;金童基 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 東友FINE-CHEM股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23F1/30 | 分類(lèi)號(hào): | C23F1/30;H01L21/77;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 張穎玲;胡春光 |
| 地址: | 韓國(guó)全*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 刻蝕 組合 陣列 以及 制造 方法 | ||
1.一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法,所述方法包括:
a)在基板上形成柵極布線;
b)在具有所述柵極布線的所述基板上形成柵極絕緣層;
c)在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層;
d)在所述半導(dǎo)體層上形成源極和漏極;以及
e)形成與所述漏極連接的像素電極,
其中,在a)中的形成所述柵極布線包括在所述基板上形成Cu-基金屬膜以及利用刻蝕劑組合物刻蝕所述Cu-基金屬膜,
在d)中的形成所述源極和所述漏極包括在所述半導(dǎo)體層上形成Cu-基金屬膜以及利用所述刻蝕劑組合物刻蝕所述Cu-基金屬膜,以及
所述刻蝕劑組合物為用于Cu-基金屬膜的刻蝕劑組合物,基于所述組合物的總重量,所述刻蝕劑組合物包括A)H2O2、B)pH調(diào)節(jié)劑以及C)水,并且所述刻蝕劑組合物的pH為1.6~3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,用于液晶顯示器的所述陣列基板為薄膜晶體管陣列基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述組合物的pH為1.6~2.4。
4.一種用于Cu-基金屬膜的刻蝕劑組合物,包括:
A)H2O2;
B)pH調(diào)節(jié)劑;以及
C)水,
其中,所述組合物具有1.6~3的pH。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的刻蝕劑組合物,其中,所述組合物的pH為1.6~2.4。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的刻蝕劑組合物,其中,B)所述pH調(diào)節(jié)劑為有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸、鹽、唑類(lèi)化合物或水溶性環(huán)胺化合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的刻蝕劑組合物,其中,B)所述pH調(diào)節(jié)劑為1-羥基亞乙基-1,1-二磷酸、乙醇酸、磷酸、磷酸鹽、氨基四唑或氟化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的刻蝕劑組合物,進(jìn)一步包括螯合劑或抗腐蝕劑。
9.一種刻蝕Cu-基金屬膜的方法,包括:
I)在基板上形成Cu-基金屬膜;
II)在所述Cu-基金屬膜上選擇性地留下光敏材料;
III)利用刻蝕劑組合物刻蝕所述Cu-基金屬膜,
其中,所述刻蝕劑組合物為用于Cu-基金屬膜的刻蝕劑組合物,所述刻蝕劑組合物包括A)H2O2、B)pH調(diào)節(jié)劑以及C)水,并且所述刻蝕劑組合物的pH為1.6~3。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述組合物的pH為1.6~2.4。
11.一種用于液晶顯示器的陣列基板,包括利用權(quán)利要求4所述的刻蝕劑組合物刻蝕的源極和漏極。
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