[發明專利]一種耐腐蝕薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201310552861.6 | 申請日： | 2013-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN103614696A | 公開（公告）日： | 2014-03-05 |
| 發明（設計）人： | 陳路玉 | 申請（專利權）人： | 中山市創科科研技術服務有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/16;C03C17/36 |
| 代理公司： | 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286 | 代理人： | 吳劍鋒 |
| 地址： | 528400 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 腐蝕 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種耐腐蝕薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
A、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Bi平面靶，在透明耐熱基板上磁控濺射Bi2O3層；
B、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在步驟A中Bi2O3層上磁控濺射TiOx層；
C、采用氮氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟B中的TiOx層上磁控濺射CrNx層；
D、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銅平面靶，在步驟C中的CrNx層上磁控濺射Cu層；
E、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射NiCr合金平面靶，在步驟D中的Cu層上磁控濺射NiCr層；
F、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射ZnSn合金旋轉靶，在步驟E中的NiCr層上磁控濺射ZnSnO3層。
2.根據權利要求1所述的一種耐腐蝕薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述Bi2O3層的厚度為10～15nm，氧氣與氬氣的體積比為1：2，所述直流電源的濺射功率為15～20KW。
3.根據權利要求1所述的一種耐腐蝕薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述TiOx層的厚度為10～15nm，所述交流電源的濺射功率50～75KW。
4.根據權利要求1所述的一種耐腐蝕薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述CrNx層的厚度為3～5nm，所述氮氣與氬氣的體積比為1：2，所述的直流電源的濺射功率3～6KW。
5.根據權利要求1所述的一種耐腐蝕薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述Cu層的厚度為10～20nm，所述直流電源的濺射功率3～6KW。
6.根據權利要求1所述的一種耐腐蝕薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述NiCr層的厚度為3～5nm，所述NiCr合金中Ni:Cr的摩爾比21:79，所述直流電源的濺射功率3～5KW。
7.根據權利要求1所述的一種耐腐蝕薄膜的制備方法，其特征在于F中所述ZnSnO3層的厚度為20～30nm，所述ZnSn合金旋轉靶中Zn:Sn的摩爾比48:52，所述氬氣與氧氣的體積比為1：2，所述交流電源的濺射功率為50～75KW。
8.根據權利要求1所述的一種耐腐蝕薄膜的制備方法，其特征在于透明耐熱基板為透明玻璃。
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