[發明專利]一種帶有支撐保護結構的封裝結構

在審

• 申請號: 201310552044.0
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN103545264A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 俞國慶;邵長治;謝皆雷;廖周芳;吳超;羅立輝;吳偉峰;嚴怡媛
• 申請（專利權）人: 寧波芯健半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/31
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 宋纓;孫健

1.一種帶有支撐保護結構的封裝結構，至少包括兩層芯片，其特征在于，兩層芯片之間實現互連，并且在其中一層芯片上引出對外的接口，第二層芯片通過堆疊結構堆疊在第一層芯片上，并在第一層芯片和第二層芯片之間形成密閉的空腔。

2.根據權利要求1所述的帶有支撐保護結構的封裝結構，其特征在于，所述第一層芯片包括第一硅基板（11）、芯片鈍化層（12）、芯片焊墊（13）、焊墊開口（14）、第一鈍化層（15）、第一金屬層（16）；所述第一硅基板（11）上有所述芯片鈍化層（12）；所述芯片鈍化層（12）和芯片焊墊（13）上生長有所述第一鈍化層（15）；所述第一鈍化層（15）在對應所述芯片焊墊（13）的位置形成焊墊開口（14）；所述焊墊開口（14）處生長有第一金屬層（16）；所述第一金屬層（16）上形成線路（44）；所述第一金屬層（16）上生長有第二鈍化層（23），所述第二鈍化層（23）上有開口（24）；所述開口（24）處設有第二金屬層（22）；所述第二金屬層（22）作為銅凸點（31）及支撐結構（42）的電鍍種子層；所述第二金屬層（22）上設有銅凸點（31）和支撐結構（42）；所述銅凸點（31）頂部有錫帽（32）；所述第二層芯片與第一層芯片呈鏡像結構。

3.根據權利要求2所述的帶有支撐保護結構的封裝結構，所述第一金屬層（16）上形成橋式導通結構以實現空腔體內外的電性互連。

4.根據權利要求2所述的帶有支撐保護結構的封裝結構，其特征在于，所述堆疊結構包括金屬共晶鍵合支撐層（51）；所述第一層芯片的銅凸點與支撐結構和第二層芯片的銅凸點與支撐結構相互壓合，使得兩層芯片的支撐結構形成金屬共晶鍵合支撐層（51），所述金屬共晶鍵合支撐層（51）、第一層芯片和第二層芯片之間形成密閉的空腔（52）。

5.根據權利要求1所述的帶有支撐保護結構的封裝結構，其特征在于，所述兩層芯片中任意一層芯片作為對外電性連接的承載結構，在該層芯片的背面通過TSV加工形成對外的電性互連。

6.根據權利要求1所述的帶有支撐保護結構的封裝結構，其特征在于，所述第一層芯片的焊墊和第二層芯片的焊墊通過線路、銅凸點和銅通孔互連實現外部的電性互連。

7.根據權利要求1所述的帶有支撐保護結構的封裝結構，其特征在于，所述空腔（52）內為真空狀態或充有惰性氣體。