[發明專利]一種掩模版及一種測量光刻機的版旋轉偏差的方法

在審

• 申請號: 201310551821.X
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN104635418A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 潘光燃;文燕;石金成;高振杰;王焜
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/42
• 分類號: G03F1/42;G03F9/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種掩模版，其特征在于，所述掩模版包括：底板、位于底板上的第一部件和第二部件；

所述第一部件用于使光刻膠在經過光刻后被保留；

所述第二部件用于使光刻膠在經過光刻后被刻蝕；

所述第一部件和第二部件的位置關系滿足：在以所述掩模版的矩形曝光場的中心為坐標原點，X軸、Y軸分別平行于所述曝光場的垂直的兩個邊的X-Y坐標系中，所述第一部件和第二部件位于Y軸兩側，均有兩條垂直于Y軸的平行邊線，第二部件的Y軸上的投影在第一部件的Y軸上的投影內，所述第一部件的中心與所述第二部件的中心在X軸上投影的距離為光刻機在X方向的步進長度。

2.根據權利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述第一部件和第二部件的位置關系還滿足：所述第一部件和第二部件的中心位于垂直于Y軸的同一條直線上。

3.根據權利要求1或2所述的掩模版，其特征在于，所述第一部件、第二部件的形狀為矩形。

4.根據權利要求1或2所述的掩模版，其特征在于，所述第一部件、第二部件的中心到Y軸的距離相等。

5.根據權利要求1或2所述的掩模版，其特征在于，所述曝光場為矩形，邊的長度為10-50毫米。

6.根據權利要求1或2所述的掩模版，其特征在于，所述第二部件曝光后形成的圖案的兩條垂直于Y軸的邊至少有一部分在第一部件曝光后形成的圖案中。

7.一種利用權利要求1-6中任一掩模版測量光刻機的版旋轉偏差的方法，其特征在于，在以所述掩模版的矩形曝光場的中心為坐標原點，X軸、Y軸分別平行于所述曝光場的垂直的兩個邊的X-Y坐標系中，所述方法包括：

按照預先設定的X方向的步進長度，利用所述掩模版對涂有光刻膠的晶圓進行步進式光刻，形成偏差圖案；

計算出第二部件的中心的偏移距離；

根據所述偏移距離和所述步進長度計算光刻機的版旋轉偏差。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述利用所述掩模版對涂有光刻膠的晶圓進行步進式光刻，包括：

在第一部件曝光形成的圖案上對第二部件進行曝光。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述計算出第二部件的中心的偏移距離，包括：

測量偏差圖案垂直于Y方向的一條外邊線與一條內邊線的第一距離，測量偏差圖案垂直于Y方向的另一條外邊線與另一條內邊線的第二距離；

根據以下公式計算出第二部件的中心的偏移距離：

D=|Y1-Y2|2]]>

其中，D為所述偏移距離，Y₁為所述第一距離，Y₂為所述第二距離。

10.根據權利要求1或9所述的方法，其特征在于，所述計算光刻機的版旋轉偏差，包括：

根據以下公式計算光刻機的版旋轉偏差：

A=arcsin(DX)]]>

其中，A為所述版旋轉偏差，D為所述偏移距離，X為所述步進長度。