[發明專利]一種發光二極管

有效

• 申請號: 201310551520.7
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN103594589A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 張翠
• 申請（專利權）人: 溧陽市江大技術轉移中心有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種GaN基發光二極管，包括：

襯底（2）；

形成于襯底（2）背面的反射電極（1），其用作n接觸電極；

形成于襯底（2）正面上的非摻雜GaN或AlN緩沖層（3）；

形成于非摻雜GaN或AlN緩沖層（3）上的GaN基外延層發光結構；

形成在GaN基外延層發光結構上的ITO透明電極層（8），其中ITO透明電極層（8）具有開口，該開口貫穿ITO透明電極層（8）且開口底部位于GaN基外延層發光結構的p型AlGaN覆蓋層（7）中；

形成在開口的底部和側壁上的金屬阻擋層（14）；

形成在金屬阻擋層（14）上的多層p接觸電極（9-12）；以及

形成在多層p接觸電極（9-12）上的鍵合引線（13）。

2.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管，特征在于：

其中開口是圓形，其圓心與ITO透明電極層（8）的表面中心重合；

開口面積為ITO透明電極層（8）表面積的20％-30％，優選20％，更優選25％，且最優選30％；

開口的底部位于p型AlGaN覆蓋層（7）中，開口深入p型AlGaN覆蓋層（7）中的深度范圍是150至250nm；

形成在開口的底部和側壁上的金屬阻擋層（14）是TiW，其厚度是50nm。

3.根據權利要求2所述的GaN基發光二極管，特征在于：

其中多層p接觸電極（9-12）是四層結構，依次為：Ti金屬粘附層（9）、Ti/Al合金歐姆接觸層（10）、Al/Ti/Au合金電極層（11）以及Ti/Au/Rh合金電極層（12），

其中Ti金屬粘附層（9）的厚度為50-100nm，優選75nm；

Ti/Al合金歐姆接觸層（10）的厚度為65-120nm，優選100nm；

Al/Ti/Au合金電極層（11）的厚度為65-120nm，優選100nm；

Ti/Au/Rh合金電極層（12）的厚度為65-120nm，優選100nm。

4.根據權利要求3所述的GaN基發光二極管，特征在于：

其中多層p接觸電極（9-12）是四層結構，依次為：Ti金屬粘附層（9）、Ni/AuBe合金歐姆接觸層（10）、Al/Pt/Au合金電極層（11）以及Ti/Al/Rh/Pt/Au合金電極層（12），

其中Ti金屬粘附層（9）的厚度為50-100nm，優選75nm；

Ni/AuBe合金歐姆接觸層（10）的厚度為75-120nm，優選110nm；

Al/Pt/Au合金電極層（11）的厚度為75-120nm，優選110nm；

Ti/Al/Rh/Pt/Au合金電極層（12）的厚度為75-120nm，優選110nm。