[發(fā)明專利]一種倒裝發(fā)光二極管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310551139.0 | 申請日： | 2013-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN103594583A | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張翠 | 申請（專利權）人： | 溧陽市江大技術轉(zhuǎn)移中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 黃明哲 |
| 地址： | 213300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 倒裝 發(fā)光二極管 | ||
1.一種GaN基倒裝發(fā)光二極管，包括：
承載基板（10）；
形成于承載基板（10）上的焊球或凸塊電極（11）；
倒裝GaN基發(fā)光二極管結構，其包括：
藍寶石襯底（1）；
形成在藍寶石襯底（1）上的n型GaN層（2）；
形成在n型GaN層（2）上的有源層（3）；
形成在有源層（3）上的p型GaN層（4）；
形成在p型GaN層（4）上的n型電極（9）和p型電極（8）；
形成在n型電極（9）和p型電極（8）之間的隔離槽；
形成在隔離槽側(cè)壁上的絕緣層（6）；
形成在隔離槽中且與n型電極（9）電連接的銅柱（5）；以及
使承載基板（10）上的焊球或凸塊電極（11）分別與n型電極（9）和p型電極（8）電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的GaN基倒裝發(fā)光二極管，特征在于：
n型電極（9）和p型電極（8）相對于隔離槽對稱設置且n型電極（9）和p型電極（8）的面積相等，并且n型電極（9）和p型電極（8）與焊球或凸塊電極（11）電連接的表面高度相同并處于同一表面上。
3.根據(jù)權利要求2所述的GaN基倒裝發(fā)光二極管，特征在于：
n型電極（9）和p型GaN層（4）之間具有氧化鋁絕緣層（7），其厚度是30nm至50nm，且n型電極（9）的厚度是70nm至100nm，優(yōu)選75nm，80nm，85nm，90nm，100nm。
4.根據(jù)權利要求3所述的GaN基倒裝發(fā)光二極管，特征在于：銅柱（5）突出于p型GaN層（4）的表面的高度為100nm至150nm，且p型電極（8）的厚度是100nm至150nm，優(yōu)選110nm，120nm，130nm，140nm，150nm。
5.根據(jù)權利要求4所述的GaN基倒裝發(fā)光二極管，特征在于：n型電極（9）與氧化鋁絕緣層（7）的總厚度以及p型電極（8）的厚度與銅柱（5）突出p型GaN層4的表面的高度相同。
6.根據(jù)權利要求5所述的GaN基倒裝發(fā)光二極管，特征在于：n型電極（9）和p型電極（8）的總面積占p型GaN層（4）的表面積的70％-90％，且隔離槽占p型GaN層（4）的表面積的10％－30％。
7.根據(jù)權利要求6所述的GaN基倒裝發(fā)光二極管，特征在于：n型電極（9）直接與銅柱（5）接觸，從而形成n型電極（9）至n型GaN層（2）的導電通路，使得n型電極（9）通過銅柱（5）與n型GaN層（2）電連接。
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