[發明專利]一種TTR混合基用BOPET

有效

• 申請號: 201310550219.4
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN103554854A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 李東升;韓冰冰;李加坤;李娟
• 申請（專利權）人: 河南卓立膜材料股份有限公司
• 主分類號: C08L67/02
• 分類號: C08L67/02;C08K3/36
• 代理公司: 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104
• 代理人: 田小伍

技術領域

本發明屬于BOPET（雙向拉伸聚酯薄膜）領域，具體涉及一種TTR（熱轉印色帶）混合基用BOPET。

背景技術

目前，在TTR混合基高速涂布中使用的BOPET一般為電容器專用或為生產電容器專用BOPET的4.5微米過渡產品，沒有TTR混合基高速涂布專用4.3微米?BOPET。電容器用BOPET的4.5微米過渡產品從原料到工藝，全是針對電容器膜的耐擊穿、絕緣等性能，無法滿足TTR混合基高速涂布所需要的熱穩定性、涂布后低噪音等性能要求。

發明內容

本發明目的在于提供一種TTR混合基高速涂布專用4.3微米?BOPET。

本發明的技術方案如下：

一種TTR混合基用BOPET，厚度為4.3微米，由基料和納米硅母料制備而成；

所述基料為PET，即聚對苯二甲酸乙二醇酯；

所述納米硅母料為聚對苯二甲酸乙二醇酯與納米SiO₂的混合物，其中納米SiO₂的粒徑為100nm~500nm，含量為3000~8000ppm。

所述TTR混合基用BOPET，以質量百分比計，基料含量為50%~65%。

所述TTR混合基用BOPET，以質量百分比計，基料含量為55%。

需要說明的是，為更好的制備4.3微米的BOPET，制備本發明TTR混合基高速涂布專用4.3微米的BOPET的生產線上的相關生產設備由奧地利安德里茨公司所生產，所引進的生產設備在MDO（縱向拉伸）、TDO（橫向拉伸）區域相較于國內設備能夠更好的滿足生產所需。

本發明相較于現有技術中使用的4.5微米過渡產品，通過納米硅添加劑的使用，降低了薄膜的粗糙度，使TTR打印噪音大幅降低，可低于89分貝；所制備的BOPET產品的熱穩定性、剝離性、潔凈度及對涂布溶劑的表面適應性等各項性能更適于TTR混合基高速涂布專用。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明做進一步的介紹說明。

實施例1

按基料與納米硅母料=5：5的質量比進行配制，所述基料為聚對苯二甲酸乙二醇酯；所述納米硅母料為聚對苯二甲酸乙二醇酯與納米SiO₂的混合物，其中納米SiO₂的粒徑為100nm~500nm，含量為5000ppm。

將配制好的原料經混合、干燥后，進入擠出機在280℃溫度下進行原料熔融，首先將熔融后原料經過5μm高精度過濾器過濾后，在T型模頭擠出并在急冷輥冷卻，后經過MDO?55℃~76℃的預熱后，進行3.65倍縱拉和TDO的4.1倍橫拉，在TDO橫拉末段進行冷卻結晶處理，然后再經過切邊、收卷等工序收成半成品，最后經分切、包裝后，成為TTR混合基高速涂布專用4.3微米?BOPET成品。

對本實施例制備的BOPET成品進行分切，成品優等級品率可達89%，涂布A級品率可達83%。

對本實施例制備的TTR混合基高速涂布專用4.3微米?BOPET成品的主要物化指標測定如下表所示：

實施例2

制備方法同實施例1，僅調整基料與納米硅母料按5.5：4.5的質量比進行配制，所述基料為聚對苯二甲酸乙二醇酯；所述納米硅母料為聚對苯二甲酸乙二醇酯與納米SiO₂的混合物，其中納米SiO₂的粒徑為100nm~500nm，含量為5000ppm。

對本實施例制備的BOPET成品進行分切，成品優等級品率可達94%，涂布A級品率可達88%。

對本實施例制備的TTR混合基高速涂布專用4.3微米?BOPET成品的主要物化指標測定如下表所示：

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實施例3

制備方法同實施例1，僅調整基料與納米硅母料按6：4的質量比進行配制，所述基料為聚對苯二甲酸乙二醇酯；所述納米硅母料為聚對苯二甲酸乙二醇酯與納米SiO₂的混合物，其中納米SiO₂的粒徑為100nm~500nm，含量為5000ppm。

對本實施例制備的BOPET成品進行分切，成品優等級品率可達88%，涂布A級品率可達82%。

對本實施例制備的TTR混合基高速涂布專用4.3微米?BOPET成品的主要物化指標測定如下表所示：

實施例4